• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Глава в книге
Программа расчета теплового сопротивления ветвей топологических моделей тепловых процессов

Кузнецов Н., Гедзюн В., Жуков А. и др.

В кн.: Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ). Вып. 3. М.: Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2022.

Препринт
Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ikhsanov R., Mazur E. A., Kagan M.

Working papers by Cornell University. Cornell University, 2022. No. 2202.01452.

Новости

Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств

В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)

Студенты МИЭМ продемонстрировали свои разработки Патриарху Кириллу

13 октября 2016 года в 75-м павильоне ВДНХ состоялся II Международный православный студенческий форум, организованный Синодальным отделом по делам молодежи Русской Православной Церкви при поддержке Правительства Москвы.

Открытый турнир НИУ ВШЭ по шахматам

Вечером, 15 октября в бывшем здании МИЭМ (Б. Трехсвятительский пер., 3) в шахматном классе прошел Открытый турнир НИУ ВШЭ по шахматам, организованный Студенческим спортивным клубом НИУ ВШЭ.

Визит доктора Широ Кавабата в МИЭМ НИУ ВШЭ

Закончился визит старшего научного сотрудника Института передовой промышленной науки и технологии (Цукуба, Ибараки, Япония) доктора Широ Кавабата в МИЭМ НИУ ВШЭ. Визит проходил с 18 Сентября по 5 Октября.

Altium Limited объявляет о начале сотрудничества с МИЭМ НИУ ВШЭ

Москва, 10 октября 2016 г. – компания AltiumLimited, ведущий мировой разработчик в области автоматизации проектирования электронных устройств, объявляет о начале сотрудничества с Московским институтом электроники и математики (МИЭМ), учебно-научным подразделением НИУ ВШЭ, в области подготовки будущих специалистов наукоемких технологий на основе своего решения для проектирования электронных устройств.

4 студента МИЭМ НИУ ВШЭ рекомендованы к получению гранта "УМНИК"

3-5 октября 2016 года состоялся финал конкурса «Московский молодежный старт – 2016» по программе «УМНИК» Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере. 

Студенты МИЭМ НИУ ВШЭ показали свои разработки на фестивале Nauka0+

Потанцевать с роботом, погрузиться в виртуальную реальность, собрать метеостанцию, узнать об «умных» технологиях для дома и просто хорошо провести время — Вышка на фестивале NAUKA 0+ показывает, что научные разработки могут быть не только полезными, но и доступными каждому.

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

Сотрудниками УИЛ «Функциональной безопасности космических аппаратов и систем» получен патент на полезную модель

Сотрудниками лаборатории получен патент на полезную модель № 164910 «Кабельный многоконтактный разъем космического применения с повышенной устойчивостью к возникновению электростатических разрядов».