Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.

  • A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Новости

Иллюстрация к новости: Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Фотодетекторы на основе новых двумерных материалов"

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Фотодетекторы на основе новых двумерных материалов"

Иллюстрация к новости: Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Применение частотно-селективных поверхностей на основе метаматериалов в конструкциях устройств СВЧ".

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Применение частотно-селективных поверхностей на основе метаматериалов в конструкциях устройств СВЧ".

Иллюстрация к новости: Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Математика медиакоммуникационной индустрии"

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Математика медиакоммуникационной индустрии"

Иллюстрация к новости: Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

Иллюстрация к новости: "Сверхпроводниковые детекторы и квантовые вычисления на фотонах"

"Сверхпроводниковые детекторы и квантовые вычисления на фотонах"

Иллюстрация к новости: Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.

Иллюстрация к новости: "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"

"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"

22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.

Иллюстрация к новости: Роботизация поисково-спасательных операций при землетрясениях, наводнениях и оползнях: Моделирование в среде Gazebo

Роботизация поисково-спасательных операций при землетрясениях, наводнениях и оползнях: Моделирование в среде Gazebo

3 марта 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках докладов аспирантов 4 года обучения.

24 февраля 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках докладов аспирантов 4 года обучения.