- A
- A
- A
- АБB
- АБB
- АБB
- А
- А
- А
- А
- А
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
- «Цифровые технологии и телекоммуникации» (бакалавриат).
- «Прикладная электроника и фотоника», «Интернет вещей и киберфизические системы», «Аппаратно-программные комплексы искусственного интеллекта», «Цифровой инжиниринг в телекоммуникациях», «Технологии искусственного интеллекта в телекоммуникациях» (магистратура).
Информационная безопасность
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
70 платных мест
5 платных мест для иностранцев
Цифровые технологии и телекоммуникации
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
IEEE, 2026.
Hazarika A. P., Das A., Das S. K. et al.
Physica B: Condensed Matter. 2026. Vol. 738.
Zhihan L., Wenxing W., Avdoshin S. M. et al.
In bk.: Proceedings 2026 IEEE 11th International Conference on Smart Cloud SmartCloud 2026 8-10 May 2026. Los Alamitos: IEEE Computer Society, 2026. P. 85-90.
В печати
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"
22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.
Доклад был посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.В заключении доклада автор поделился идеями внедрения TCAD-моделей в учебный процесс.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, Ю.Н. Кофанова, Н.Н. Грачева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/19iFsIfrqYfOBRG7UzIaQ3XdA3VDKm3qQ/view?ts=63a575d9