- A
- A
- A
- АБB
- АБB
- АБB
- А
- А
- А
- А
- А
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
- «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информационная безопасность» (бакалавриат)
- «Прикладная электроника и фотоника», «Интернет вещей и киберфизические системы», «Информационная безопасность киберфизических систем», «Кибербезопасность» (магистратура).
Инфокоммуникационные технологии и системы связи
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
Информационная безопасность
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Koucheryavy E., Aziz A.
Springer, 2024.
В печати
Мырова Л., Королев П. С., Антонович П. и др.
Электросвязь. 2024. № 4. С. 14-24.
In bk.: 23rd International Conference, NEW2AN 2023, and 16th Conference, ruSMART 2023, Dubai, United Arab Emirates, December 21–22, 2023, Proceedings, Part II. Internet of Things, Smart Spaces, and Next Generation Networks and Systems. LNCS, volume 14543. Springer, 2024. P. 349-362.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"
22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.
Доклад был посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.В заключении доклада автор поделился идеями внедрения TCAD-моделей в учебный процесс.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, Ю.Н. Кофанова, Н.Н. Грачева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/19iFsIfrqYfOBRG7UzIaQ3XdA3VDKm3qQ/view?ts=63a575d9