Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Манохин А. И., Полесский С. Н.
Издательство ПетрГУ, 2024.
Бондаренко Г.Г., Фишер М. Р., Кристя В. И.
Известия РАН. Серия физическая. 2024. Т. 88. № 4. С. 549-554.
В кн.: Тезисы докладов ХV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящённой 300–летию Российской академии наук (г. Уфа, 6–9 октября 2024 г.). Уфа: РИЦ УУНиТ, 2024. С. 138-139.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.
Доклад был посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.В заключении доклада автор поделился идеями внедрения TCAD-моделей в учебный процесс.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, Ю.Н. Кофанова, Н.Н. Грачева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/19iFsIfrqYfOBRG7UzIaQ3XdA3VDKm3qQ/view?ts=63a575d9