• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Глава в книге
Поведение функций Грина в гетероструктуре сверхпроводник-ферромагнетик при наличии спинового рассеяния
В печати

Милютин Д. П., Пугач Н. Г.

В кн.: Тезисы докладов ХV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящённой 300–летию Российской академии наук (г. Уфа, 6–9 октября 2024 г.). Уфа: РИЦ УУНиТ, 2024. С. 138-139.

Препринт
Intensity correlations in decoy-state BB84 quantum key distribution systems
В печати

Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.

quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"

22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.

"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"

22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.

Доклад был посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.

В заключении доклада автор поделился идеями внедрения TCAD-моделей в учебный процесс.

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, Ю.Н. Кофанова, Н.Н. Грачева.

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/19iFsIfrqYfOBRG7UzIaQ3XdA3VDKm3qQ/view?ts=63a575d9