- A
- A
- A
- АБB
- АБB
- АБB
- А
- А
- А
- А
- А
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
- «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информационная безопасность» (бакалавриат)
- «Прикладная электроника и фотоника», «Интернет вещей и киберфизические системы», «Информационная безопасность киберфизических систем», «Кибербезопасность» (магистратура).
Инфокоммуникационные технологии и системы связи
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информационная безопасность
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Electronic Phase Separation in Magnetic and Superconducting Materials. Recent Advances
Kagan M., Kugel K., Rakhmanov A. et al.
Vol. 201. Cham: Springer, 2024.
Безопасность информационных технологий. 2024. Т. 31. № 4. С. 56-66.
Shurakov A., Lvov A., Belikov I. et al.
In bk.: 2024 IEEE 9th All-Russian Microwave Conference (RMC). IEEE, 2024. P. 196-199.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
"TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"
22 Декабря 2022 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "TCAD моделирование в современной электронике: проблемы и возможности"выступил доцент НИУ ВШЭ, к.т.н. доцент Денис Сергеевич Силкин.
Доклад был посвящён вопросам разработки и применения TCAD-моделей современных электронных компонентов. Представлены наработки в создании библиотеки типовых полуавтоматизированных TCAD-моделей, предназначенных для исследования влияния параметров структур на работу полупроводниковых приборов, а также исследования поведения полупроводниковых приборов под воздействием таких внешних факторов, как изменение температуры, гамма-облучение или удары тяжёлых заряженных частиц.В заключении доклада автор поделился идеями внедрения TCAD-моделей в учебный процесс.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, Ю.Н. Кофанова, Н.Н. Грачева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/19iFsIfrqYfOBRG7UzIaQ3XdA3VDKm3qQ/view?ts=63a575d9