Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
Количество платных мест уточняется
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
Количество платных мест уточняется
Кофанов Ю. Н., Сотникова С. Ю.
М.: Грифон, 2025.
Shurakov A., Rozhkova P., Belikov I. et al.
IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters. 2026. Vol. 25. No. 2. P. 706-710.
Гурский А. С., Арутюнов К. Ю., Шаповалов Д. Л. и др.
В кн.: Тезисы докладов XVI Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Уфа, 6–9 октября 2025 г.. Уфа: Уфимский университет науки и технологий, 2025. С. 146-147.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

30 марта 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов" выступил к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"» Максим Владимирович Кожухов.
Доклад был посвящён требованиям к современной электронной компонентной базе, разрабатываемой для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требующей повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Также уделено внимание обеспечению высоких уровней стойкости к ВВФ и важности применения современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.
В докладе были представлены:
– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;
– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;
– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ О.В. Стукача, Н.Н. Грачева, Б.Г. Львова, А.Ф. Каперко, К.Ю. Арутюнова.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1au28mZUUySNvHtMb9A4iI94mIoKD3VQf/view?usp=sharing_eil_m&ts=6426a31e