Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
70 платных мест
5 платных мест для иностранцев
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
IEEE, 2026.
Losev A., Filyaev A., Zavodilenko V. V. et al.
Sensors. 2026. Vol. 26. No. 4. P. 1228.
Zhihan L., Wenxing W., Avdoshin S. M. et al.
In bk.: Proceedings 2026 IEEE 11th International Conference on Smart Cloud SmartCloud 2026 8-10 May 2026. Los Alamitos: IEEE Computer Society, 2026. P. 85-90.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

30 марта 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов" выступил к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"» Максим Владимирович Кожухов.
Доклад был посвящён требованиям к современной электронной компонентной базе, разрабатываемой для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требующей повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Также уделено внимание обеспечению высоких уровней стойкости к ВВФ и важности применения современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.
В докладе были представлены:
– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;
– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;
– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ О.В. Стукача, Н.Н. Грачева, Б.Г. Львова, А.Ф. Каперко, К.Ю. Арутюнова.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1au28mZUUySNvHtMb9A4iI94mIoKD3VQf/view?usp=sharing_eil_m&ts=6426a31e