• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
ФКН
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

30 марта 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов" выступил к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"» Максим Владимирович Кожухов.

Доклад был посвящён требованиям к современной электронной компонентной базе, разрабатываемой для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требующей повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Также уделено внимание обеспечению высоких уровней стойкости к ВВФ и важности применения современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.

В докладе были представлены: 

– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;

– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;

– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах. 

 

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ О.В. Стукача, Н.Н. Грачева, Б.Г. Львова, А.Ф. Каперко, К.Ю. Арутюнова.

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:  https://drive.google.com/file/d/1au28mZUUySNvHtMb9A4iI94mIoKD3VQf/view?usp=sharing_eil_m&ts=6426a31e