• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
ФКН
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Статья
Development of regular vertical pn junction on nanocrystalline PbTe film

Jarashneli A., Towe E., Auslender M. et al.

Journal of Applied Physics. 2025. Vol. 137. No. 10. P. 2-11.

Глава в книге
Experimental Studies of Laboratory Samples of Fiber-Optic Sensors within Reinforced Concrete Building Construction. Part 2: The Experiment

Stukach O.

In bk.: 2024 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics). International scientific and technical conference Omsk State Technical University, Omsk, Russia 12-14 Nov. 2024. NY: IEEE Advancing Technology for Humanity, 2024. Ch. 1. P. 1-8.

Препринт
Combined Routing Protocol (CRP) for ad hoc networks: Combining strengths of location-based and AODV-based schemes

Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.

arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов"

30 марта 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов" выступил к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"» Максим Владимирович Кожухов.

Доклад был посвящён требованиям к современной электронной компонентной базе, разрабатываемой для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требующей повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Также уделено внимание обеспечению высоких уровней стойкости к ВВФ и важности применения современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.

В докладе были представлены: 

– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;

– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;

– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах. 

 

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ О.В. Стукача, Н.Н. Грачева, Б.Г. Львова, А.Ф. Каперко, К.Ю. Арутюнова.

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:  https://drive.google.com/file/d/1au28mZUUySNvHtMb9A4iI94mIoKD3VQf/view?usp=sharing_eil_m&ts=6426a31e