Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Бондаренко Г. Г., Кабанова Т. А., Рыбалко В. В.
М.: Юрайт, 2024.
Скуридин А. А., Елизаров А. А., Закирова Э. А. и др.
Медицинская физика. 2024. № 1. С. 53-62.
Gupta R., Yelizarov (Elizarov) A. A., Nazarov I. et al.
In bk.: 2024 Systems of signals generating and processing in the field of on board communications. IEEE, 2024. P. 1-5.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
30 марта 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Влияние ионизирующих излучений на характеристики полупроводниковых приборов" выступил к.т.н., доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, начальник лаборатории АО «Корпорация "ВНИИЭМ"» Максим Владимирович Кожухов.
Доклад был посвящён требованиям к современной электронной компонентной базе, разрабатываемой для аппаратуры специального назначения (космических систем, военной техники и атомной энергетики), требующей повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ), таким как проникающая радиация, высокие и низкие температуры и др. Также уделено внимание обеспечению высоких уровней стойкости к ВВФ и важности применения современных подходов к ее проектированию, которые могут быть обеспечены схемотехническими и приборно-технологическими САПР.
В докладе были представлены:
– источники проникающей радиации и радиационные эффекты, возникающие при воздействии ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы;
– влияние ионизирующих излучений на структуру, электрофизические и электрические характеристики полупроводниковых приборов;
– современное состояние приборно-технологических и схемотехнических моделей, позволяющих учитывать радиационные и тепловые эффекты в полупроводниковых приборах.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ О.В. Стукача, Н.Н. Грачева, Б.Г. Львова, А.Ф. Каперко, К.Ю. Арутюнова.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1au28mZUUySNvHtMb9A4iI94mIoKD3VQf/view?usp=sharing_eil_m&ts=6426a31e