Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Koucheryavy E., Aziz A.
Springer, 2024.
Мырова Л., Королев П. С., Антонович П. и др.
Электросвязь. 2024. № 4. С. 14-24.
In bk.: 23rd International Conference, NEW2AN 2023, and 16th Conference, ruSMART 2023, Dubai, United Arab Emirates, December 21–22, 2023, Proceedings, Part II. Internet of Things, Smart Spaces, and Next Generation Networks and Systems. LNCS, volume 14543. Springer, 2024. P. 349-362.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.
Доклад был посвящён применению и особенностям фоточувствительных интегральных микросхем.
Фоточувствительные интегральные микросхемы – ФЧ ИС –
имеют ряд принципиальных особенностей с точки зрения их приборно-технологического моделирования:
- трехмерность распределения электрических полей в элементах, даже с размерами 10х10 мкм;
- представление информации в виде пакета электронов, при малых освещенностях содержащего их всего десятки или даже единицы;
- необходимость моделирования взаимодействия нескольких элементов, что приводит к большим областям моделирования (сотни микрометров);
- сочетания длительных процессов накопления информационных зарядов – миллисекунды – с быстрыми процессами их передачи – десятки наносекунд
- оптические явления при прохождении излучения через поверхностные слои микросхемы и ряд других.
Эти особенности отражены в методах приборно-технологического моделирования, разработанных в ходе проектирования ФЧ ИС за последние 30 лет.
Представлены методы моделирования различных характеристик ФЧ ИС:
- разрешающей способности;
- динамического диапазона;
- передачи зарядов в больших фрагментов схем;
- элементов - приемников рентгеновского излучения;
- элементов с внутренним лавинным усилением.
Представлены новые объемные структуры элементов фоточувствительных ИС, созданные с помощью моделирования:
- с повышенной фоточувствительностью;
- с внутренним лавинным усилением;
- рентгеночувствительные;
- с внутрипиксельной аналоговой обработкой изображений.
Рассматривался ГОСТ 25532-89 Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения.
В заключении доклада автор поделился идеями дальнейшего использования ФЧ ИС в радиоэлектронной промышленности.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, В.Н. Крутикова, доцента Л.М. Самбурского.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1oHO4VQJv_Wu4It7qAQ1rjWnLIIC31eBj/view?ts=63ca5f6a