• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.

 

Доклад был посвящён применению и особенностям фоточувствительных интегральных микросхем.

Фоточувствительные интегральные микросхемы – ФЧ ИС – 

имеют ряд принципиальных особенностей с точки зрения их приборно-технологического моделирования:

- трехмерность распределения электрических полей в элементах, даже с размерами 10х10 мкм;

- представление информации в виде пакета электронов, при малых освещенностях содержащего их всего десятки или даже единицы; 

- необходимость моделирования взаимодействия нескольких элементов, что приводит к большим областям моделирования (сотни микрометров);

- сочетания длительных процессов накопления информационных зарядов – миллисекунды – с быстрыми процессами их передачи – десятки наносекунд

- оптические явления при прохождении излучения через поверхностные слои микросхемы и ряд других.

Эти особенности отражены в методах приборно-технологического моделирования, разработанных в ходе проектирования ФЧ ИС за последние 30 лет.

Представлены методы моделирования различных характеристик ФЧ ИС: 

- разрешающей способности;

- динамического диапазона;

- передачи зарядов в больших фрагментов схем;

- элементов - приемников рентгеновского излучения;

- элементов с внутренним лавинным усилением.

Представлены новые объемные структуры элементов фоточувствительных ИС, созданные с помощью моделирования:

- с повышенной фоточувствительностью;

- с внутренним лавинным усилением;

- рентгеночувствительные;

- с внутрипиксельной аналоговой обработкой изображений.

Рассматривался ГОСТ 25532-89 Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения.

  В заключении доклада автор поделился идеями дальнейшего использования ФЧ ИС в радиоэлектронной промышленности.

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, В.Н. Крутикова, доцента Л.М. Самбурского.

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1oHO4VQJv_Wu4It7qAQ1rjWnLIIC31eBj/view?ts=63ca5f6a