• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Статья
Development of regular vertical pn junction on nanocrystalline PbTe film

Jarashneli A., Towe E., Auslender M. et al.

Journal of Applied Physics. 2025. Vol. 137. No. 10. P. 2-11.

Глава в книге
Experimental Studies of Laboratory Samples of Fiber-Optic Sensors within Reinforced Concrete Building Construction. Part 2: The Experiment

Stukach O.

In bk.: 2024 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics). International scientific and technical conference Omsk State Technical University, Omsk, Russia 12-14 Nov. 2024. NY: IEEE Advancing Technology for Humanity, 2024. Ch. 1. P. 1-8.

Препринт
Combined Routing Protocol (CRP) for ad hoc networks: Combining strengths of location-based and AODV-based schemes

Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.

arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.

Научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.

 

Доклад был посвящён применению и особенностям фоточувствительных интегральных микросхем.

Фоточувствительные интегральные микросхемы – ФЧ ИС – 

имеют ряд принципиальных особенностей с точки зрения их приборно-технологического моделирования:

- трехмерность распределения электрических полей в элементах, даже с размерами 10х10 мкм;

- представление информации в виде пакета электронов, при малых освещенностях содержащего их всего десятки или даже единицы; 

- необходимость моделирования взаимодействия нескольких элементов, что приводит к большим областям моделирования (сотни микрометров);

- сочетания длительных процессов накопления информационных зарядов – миллисекунды – с быстрыми процессами их передачи – десятки наносекунд

- оптические явления при прохождении излучения через поверхностные слои микросхемы и ряд других.

Эти особенности отражены в методах приборно-технологического моделирования, разработанных в ходе проектирования ФЧ ИС за последние 30 лет.

Представлены методы моделирования различных характеристик ФЧ ИС: 

- разрешающей способности;

- динамического диапазона;

- передачи зарядов в больших фрагментов схем;

- элементов - приемников рентгеновского излучения;

- элементов с внутренним лавинным усилением.

Представлены новые объемные структуры элементов фоточувствительных ИС, созданные с помощью моделирования:

- с повышенной фоточувствительностью;

- с внутренним лавинным усилением;

- рентгеночувствительные;

- с внутрипиксельной аналоговой обработкой изображений.

Рассматривался ГОСТ 25532-89 Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения.

  В заключении доклада автор поделился идеями дальнейшего использования ФЧ ИС в радиоэлектронной промышленности.

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, В.Н. Крутикова, доцента Л.М. Самбурского.

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1oHO4VQJv_Wu4It7qAQ1rjWnLIIC31eBj/view?ts=63ca5f6a