Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Под редакцией: И. А. Иванов
Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024.
Информационно-управляющие системы. 2025. № 1. С. 23-28.
In bk.: 2024 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics). International scientific and technical conference Omsk State Technical University, Omsk, Russia 12-14 Nov. 2024. NY: IEEE Advancing Technology for Humanity, 2024. Ch. 1. P. 1-8.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
19 января 2023 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Фоточувствительные интегральные микросхемы как средство создания изображений и объект творческого автоматизированного проектирования" выступил к.т.н., ведущий научный сотрудник АО «НПП «Пульсар», приглашенный преподаватель департамента электронной инженерии МИЭМ Андрей Алексеевич Пугачёв.
Доклад был посвящён применению и особенностям фоточувствительных интегральных микросхем.
Фоточувствительные интегральные микросхемы – ФЧ ИС –
имеют ряд принципиальных особенностей с точки зрения их приборно-технологического моделирования:
- трехмерность распределения электрических полей в элементах, даже с размерами 10х10 мкм;
- представление информации в виде пакета электронов, при малых освещенностях содержащего их всего десятки или даже единицы;
- необходимость моделирования взаимодействия нескольких элементов, что приводит к большим областям моделирования (сотни микрометров);
- сочетания длительных процессов накопления информационных зарядов – миллисекунды – с быстрыми процессами их передачи – десятки наносекунд
- оптические явления при прохождении излучения через поверхностные слои микросхемы и ряд других.
Эти особенности отражены в методах приборно-технологического моделирования, разработанных в ходе проектирования ФЧ ИС за последние 30 лет.
Представлены методы моделирования различных характеристик ФЧ ИС:
- разрешающей способности;
- динамического диапазона;
- передачи зарядов в больших фрагментов схем;
- элементов - приемников рентгеновского излучения;
- элементов с внутренним лавинным усилением.
Представлены новые объемные структуры элементов фоточувствительных ИС, созданные с помощью моделирования:
- с повышенной фоточувствительностью;
- с внутренним лавинным усилением;
- рентгеночувствительные;
- с внутрипиксельной аналоговой обработкой изображений.
Рассматривался ГОСТ 25532-89 Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения.
В заключении доклада автор поделился идеями дальнейшего использования ФЧ ИС в радиоэлектронной промышленности.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ Б.Г. Львова, В.Н. Крутикова, доцента Л.М. Самбурского.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1oHO4VQJv_Wu4It7qAQ1rjWnLIIC31eBj/view?ts=63ca5f6a