• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Крук Евгений Аврамович — и.о. директора, научный руководитель

 

Абрамешин Андрей Евгеньевич — заместитель директора

 

Романов Виктор Владимирович — заместитель директора

 

Костинский Александр Юльевич — заместитель директора

 

Тумковский Сергей Ростиславович — заместитель директора по учебной работе

 

Аксенов Сергей Алексеевич — заместитель директора по научной работе

 

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     

Измерение и тестирование полупроводниковых приборов и схем микро- и наноэлектроники с учетом условий эксплуатации

Команда проекта

По признанию ведущих отечественных и зарубежных ученых и специалистов коллектив занимает лидирующие позиции в области моделирования и определения параметров полупроводниковых (п/п) приборов и микросхем, работающих в жестких условиях действия радиации, высокой и низкой температуры

Петросянц Константин Орестович

д.т.н, профессор, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники, почетный работник высшего спец. образования РФ, ординарный профессор НИУ ВШЭ)- научный руководитель

Харитонов Игорь Анатольевич

к.т.н., доцент, профессор департамента

Самбурский Лев Михайлович

к.т.н., доцент департамента

Рябов Никита Иванович

к.т.н., доцент, доцент департамента

Исмаил-Заде Мамед Рашидович

аспирант департамента

Основная идея проекта

Повышение достоверности информации о параметрах и характеристиках электронных компонентов и их моделей для проектирования. Предлагается выполнение цикла работ по измерению, тестированию и созданию моделей полупроводниковых приборов и схем микро-и наноэлектроники с учетом условий эксплуатации, включая низкую, высокую температуру и радиационное воздействие различных видов.

Решаемые задачи

1. Создание компактных (SPICE) моделей п/п приборов (биполярных, гетеро-биполярных, МОП, БиКМОП, КИОП КНИ/КНС, IGBT, SiGe и др., транзисторов различной мощности), используемых в жестких условиях эксплуатации, для расчета электрических схем методами теории цепей .

2. Экспериментальное исследование электрических, радиационных и тепловых характеристик п/п приборов, микросхем, БИС, систем на печатных платах.

3. Определение параметров моделей п/п приборов, элементов и фрагментов микросхем, БИС, систем на печатных платах с учетом реальных жестких условий эксплуатации.

4. Включение моделей компонентов в системы автоматизированного проектирования электронных схем и систем

5. Выполнение реальных проектов с приведенными работами по заказам ведущих отечественных предприятий для решения задачи импортозамещения электронной компонентной базы.

Достоинства проекта

  • Разработанные модели и методики определения их параметров охватывают несколько связанных уровней проектирования стойкой ЭКБ:
    • уровень моделирования и проектирования структур полупроводниковых приборов (TCAD- моделирование и проектирование);
    • уровень моделирования и проектирования схем различной сложности (SPICE-модели);
  • Имеется возможность определения параметров SPICE моделей из результатов TCAD моделирования структур компонентов;
  • Учет в моделях электрических, тепловых и радиационных эффектов, характерных для эксплуатации стойкой ЭКБ;

Наиболее значимые публикации за последние годы

1. Petrosyants, K.O., Kharitonov, I.A., Lebedev, S.V., Sambursky, L.M., Safonov, S.O., Stakhin, V.G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300°C)// Microelectronics Reliability, 2017,in press, doi:10.1016/j.microrel.2017.05.018

2. Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51.

3. Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V. Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2016. Vol. 63. No. 4. P. 2016 -2021.

4. Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C) // Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254.

5. Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.

6. Петросянц К. О. Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения // Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 33-37.

7. Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., Popov A. V. Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography, in: Proceedings of the 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (AITA-2015). Piza : CNR-ISTI, Italy; Fondazione “Giorgio Ronchi”, Firenze, 2015. P. 171-174.

8. Petrosyants K. O., Rjabov N. Quasi –3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices // Proc. of International Conference on Simulation, Modeling and Mathematical Statistics (SMMS-2015). Lancaster : DEStech Publications,Inc., 2015. P. 252-257.

9. Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects// Proc. of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26.

10. Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects// EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.

11. Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.

12. Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components // International Journal of Advancements in Electronics and Electrical Engineering. 2014. Vol. 3. No. 2. P. 22-27.
 

Работы докладывались на крупных международных конференциях в США, Англии, Франции, Германии, Бельгии, Италии, Китае, Индии, Японии, Сингапуре, Польше, Уругвае, ЮАР и др. и межведомственных совещаниях.

Академические и промышленные партнеры

      

Контакты

Петросянц Константин Орестович

Департамент электронной инженерии: Профессор

123458, Москва, Таллинская, д. 34.
+ 7 (495) 772-95-90*15208,
kpetrosyants@hse.ru
Харитонов Игорь Анатольевич

Департамент электронной инженерии: Профессор

123458, Москва, Таллинская, д. 34.
+ 7 (495) 772-95-90*15214,
+7 (916) 314-04-61,
ikharitonov@hse.ru
Самбурский Лев Михайлович

Департамент электронной инженерии: Доцент

123458, Москва, Таллинская, д. 34.
+ 7 (495) 772-95-90*15227