Ученые МИЭМ приняли участие в Российском Форуме «Микроэлектроника 2022»
С 2 по 8 октября 2022 в Сочи, Роза Хутор, прошел Российский форум «Микроэлектроника 2022», организованный при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, АО «НИИМА «Прогресс», АО «НИИМЭ», Центрального научно-исследовательского института экономики, систем управления и информации «Электроника», ГК «Ростех». Генеральным информационным партнером Форума выступило АО «РИЦ «ТЕХНОСФЕРА». На одной площадке объединились Форум и ежегодная Отраслевая научно-техническая конференция радиоэлектронной промышленности.
Форум этого года побил рекорды по посещаемости: число участников составило 1709 человек из 665 компаний. На площадке были представлены 444 офлайн-доклада, 49 онлайн-докладов, в демо-зоне были представлены 74 компании.
На форуме были рассмотрены вопросы современного состояния отечественной микроэлектроники, обсуждены перспективы развития отрасли и продемонстрированы новейшие разработки.
Форум «Микроэлектроника-2022» позволил оценить состояние отечественной микроэлектроники, выявить преимущества и составить стратегию развития. Была отмечена роль отрасли как важного компонента укрепления технологического суверенитета России.
Департамент Электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил четыре доклада:
Сразу с двумя докладами выступил ординарный профессор НИУ ВШЭ Константин Петросянц. Первый был посвящен библиотеке SPICE-моделей транзисторов кремниевых КМОП и БиКМОП БИС, работающих в широком диапазоне температур (-270°C…+300°C). Во втором ученый рассказал участникам форума о программно-аппаратном комплексе для исследования характеристик и определения параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов и компонентов ИС/БИС, работающих в условиях воздействия внешних факторов.
Еще два доклада были подготовлены коллективами ученых института. Профессор ДЭИ Игорь Харитонов рассказал о сквозном электро-тепловом моделировании мощных электронных схем на печатных платах с помощью программных средств Comsol, SPICE, Асоника–ТМ (авторы - И. А. Харитонов, Ю.Н. Кофанов, М.С. Тегин). И он же выступил с докладом, посвященным анализу ВАХ и определению параметров SPICE-моделей МОП транзисторов КМОП ИС со структурой «кремний на сапфире», изготовленных по отечественным и зарубежным технологиям ( авторы - К.О. Петросянц, И. А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде).
Доклады вызвали живой интерес у присутствующих.
Была обсуждены вопросы сотрудничества с представителями других организаций.
