• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Крук Евгений Аврамович — и.о. директора, научный руководитель

 

Абрамешин Андрей Евгеньевич — заместитель директора

 

Тумковский Сергей Ростиславович — заместитель директора по учебной работе

 

Аксенов Сергей Алексеевич — заместитель директора по научной работе

 

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/20/5
50 бюджетных мест
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/45/8
100 бюджетных мест
45 платных мест
8 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/65/5
30 бюджетных мест
65 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/55/5
80 бюджетных мест
55 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
35/5/5
35 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Квантово-информационные технологии

2 года
Очная форма обучения
ENG
Обучение ведётся на английском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/5
20 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Прикладная физика

2 года
Очная форма обучения
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Статья
Как обойти рефакторинг

Салибекян С. М., Леохин Ю. Л.

Системный администратор. 2016. № 12. С. 89-91.

Глава в книге
Тепловая обработка бетона с использованием микроволнового излучения

Нефедов В. Н., Мамонтов А. В., Симонов В. П. и др.

В кн.: X международная отраслевая научно-техническая конференция «Технологии информационного общества»: Сборник трудов. М.: ИД Медиа Паблишер, 2016. С. 194-195.

Препринт
On partial traces and compactification of *-autonomous Mix-categories

Sergey Slavnov.

math. arxive. Cornell University, 2016

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

Россия была представлена докладами специалистов из НИЯУ МИФИ и МИЭМ НИУ ВШЭ.

МИЭМ НИУ ВШЭ представил 3 доклада:

  • K. O. Petrosyants, M. V. Kozhukhov, General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation;
  • K. O. Petrosyants, D. A. Popov, 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects;
  • K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, M. V. Kozhukhov, L. M. Sambursky, M. R. Ismail-Zade, An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators,

которые сделали сотрудники МИЭМ НИУ ВШЭ – ординарный профессор К.О. Петросянц (2 доклада) и ассистент Д.А. Попов.


Доклады вызвали большой интерес. С китайской стороны поступили предложения о совместном научном сотрудничестве.

На фото профессор К. О. Петросянц с «классиком» в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов, профессором Даном Флитвудом, руководителем департамента Электроники и вычислительной техники Вандербильдского университета г. Нешвиль (США), главным редактором журнала IEEE Transaction on Nuclear Science.

 

На фото профессор К. О. Петросянц с председателем Оргкомитета конференции, директором института микроэлектроники Академии наук КНР Джиншуном Би.