• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Крук Евгений Аврамович — и.о. директора, научный руководитель

 

Абрамешин Андрей Евгеньевич — заместитель директора

 

Тумковский Сергей Ростиславович — заместитель директора по учебной работе

 

Аксенов Сергей Алексеевич — заместитель директора по научной работе

 

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/20/5
50 бюджетных мест
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/45/8
100 бюджетных мест
45 платных мест
8 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/60/5
30 бюджетных мест
60 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/35/5
80 бюджетных мест
35 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
35/5/5
35 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Квантово-информационные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
ENG
Обучение ведётся на английском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/5
20 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Прикладная физика

2 года
Очная форма обучения
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Статья
Как обойти рефакторинг

Салибекян С. М., Леохин Ю. Л.

Системный администратор. 2016. № 12. С. 89-91.

Глава в книге
Тепловая обработка бетона с использованием микроволнового излучения

Нефедов В. Н., Мамонтов А. В., Симонов В. П. и др.

В кн.: X международная отраслевая научно-техническая конференция «Технологии информационного общества»: Сборник трудов. М.: ИД Медиа Паблишер, 2016. С. 194-195.

Препринт
On partial traces and compactification of *-autonomous Mix-categories

Sergey Slavnov.

math. arxive. Cornell University, 2016

МИЭМ готовит разработчиков новой вычислительной техники

«Система МИЭМ» предусматривает систему отбора одаренных студентов в ходе учебного процесса для дальнейшего занятия научно-техническими разработками в области создании новой вычислительной техники.

Профессор Трубочкина Н.К. (Департамент компьютерной инженерии) в течение многих лет ведет исследования на переднем крае науки в области твердотельной реализации биоподобных (молекулы, части ДНК и т.д.) математических моделей интеллектуальных элементов (логики и памяти) для новых вычислительных систем.

Студентами, прошедшими школу проф. Трубочкиной Н.К. был получен ряд патентов, описывающих техническую реализацию новой техники в данной области.

В 2017 году был получен очередной патент «Бистабильная ячейка памяти на базе однослойной наноструктуры. Сущность изобретения заключается в том, что бистабильная ячейка памяти, созданная по биоподобной математической модели на базе однослойной наноструктуры (см. рисунок), имеет горизонтально ориентированные слои, содержит диэлектрическую подложку, размещенные на ней функционально интегрированные первый и второй логические транзисторы, первый и второй нагрузочные диоды, структура выполнена наноразмерной, обладает низкой мощностью.

Данный элемент предназначен для создания интегральных схем памяти с предельной информационной плотностью.