• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Крук Евгений Аврамович — и.о. директора, научный руководитель

 

Абрамешин Андрей Евгеньевич — заместитель директора

 

Тумковский Сергей Ростиславович — заместитель директора по учебной работе

 

Аксенов Сергей Алексеевич — заместитель директора по научной работе

 

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/20/5
50 бюджетных мест
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/45/8
100 бюджетных мест
45 платных мест
8 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/60/5
30 бюджетных мест
60 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/35/5
80 бюджетных мест
35 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
35/5/5
35 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Квантово-информационные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
ENG
Обучение ведётся на английском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/5
20 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Прикладная физика

2 года
Очная форма обучения
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Статья
Как обойти рефакторинг

Салибекян С. М., Леохин Ю. Л.

Системный администратор. 2016. № 12. С. 89-91.

Глава в книге
Тепловая обработка бетона с использованием микроволнового излучения

Нефедов В. Н., Мамонтов А. В., Симонов В. П. и др.

В кн.: X международная отраслевая научно-техническая конференция «Технологии информационного общества»: Сборник трудов. М.: ИД Медиа Паблишер, 2016. С. 194-195.

Препринт
On partial traces and compactification of *-autonomous Mix-categories

Sergey Slavnov.

math. arxive. Cornell University, 2016

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

В работе семинара ежегодно принимают участие руководители и ведущие специалисты предприятий Госкорпорации «Росатом», Госкорпорации «Роскосмос», Министерства промышленности и торговли РФ, Российской академии наук и других организаций, а также Республики Беларусь. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры.

Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил совместный с коллегами из Зеленоградского нанотехнологического Центра НИУ МИЭТ доклад «Характеризация элементов высокотемпературных комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС)» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов,  Л. М. Самбурский, М.Р.  Исмаил-Заде, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев). Доклад сделал профессор Харитонов И.А. Доклад вызвал большой интерес у присутствующих коллег.