Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур
В работе семинара ежегодно принимают участие руководители и ведущие специалисты предприятий Госкорпорации «Росатом», Госкорпорации «Роскосмос», Министерства промышленности и торговли РФ, Российской академии наук и других организаций, а также Республики Беларусь. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры.
Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил совместный с коллегами из Зеленоградского нанотехнологического Центра НИУ МИЭТ доклад «Характеризация элементов высокотемпературных комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС)» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов, Л. М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев). Доклад сделал профессор Харитонов И.А. Доклад вызвал большой интерес у присутствующих коллег.