• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Меню

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016». «Микроэлектроника 2016» - независимая высокоинтеллектуальная  площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур  микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей. Среди обсуждаемых тем: перспективы разработки и производства электроники в России, господдержка отрасли, частно-государственные инвестиции в её развитие, гражданская радиоэлектроника и выход российских продуктов на глобальный рынок, стимулирование внутреннего рынка и кластерный подход.

Фундаментальным мероприятием Международного форума «Микроэлектроника 2016» стала 2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули», работа которой происходила в рамках пленарного заседания, итогового круглого стола и 2-х дневной работы по 8 секциям.

Департамент Электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил три доклада:

  • Петросянц К.О. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Схемотехнические SPICE-модели.
  • Петросянц К.О., Попов Д.А. Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КМОП КНИ транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью.
  • Петросянц К.О., Лебедев С. В., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Стахин В. Г., Харитонов, И. А. Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С)  при уменьшении размеров до 0,18 мкм.

И.А. Харитонов выступает с докладом:

Доклады вызвали живой интерес у присутствующих.

Обсуждение докладов с сотрудниками ОАО «НИИМА «ПРОГРЕСС» Постновым О.А., (Начальником отделения разработки аналоговых микросхем), Атюниным В.Г. (Заместителем начальника отделения разработки аналоговых микросхем); АО «Концерн «Автоматика» Барышниковым А.В. (второй справа):

Получен сертификат участника: