• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/50/15
100 бюджетных мест
50 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
30/20
30 бюджетных мест
20 платных мест
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/45/1
30 бюджетных мест
45 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
30/5/2
30 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/2
20 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/15/2
50 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/2
20 бюджетных мест
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/2
25 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/4
20 бюджетных мест
5 платных мест
4 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»

29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.

Количество участников семинара составило более 50 человек.

В рамках семинара были рассмотрены следующие вопросы:

  1. Обеспечение контроля и исследований ЭРИ в соответствии с требованиями нормативной документации.
  2. Разработка специализированной оснастки для контроля электронных компонентов при нормальных условиях и в диапазоне температур.
  3. Обеспечение прослеживаемости процесса измерений и испытаний ЭРИ.
  4. Применение аппаратно-программных комплексов для измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE моделей компонентов экстремальной электроники.
  5. Методики измерений параметров СБИС и их компонентов для прогнозирования их радиационной и температурной стойкости.

Вел семинар профессор департамента электронной инженерии Харитонов И.А.

Вступительное слово от МИЭМ НИУ ВШЭ сделал зам. директора МИЭМ НИУ ВШЭ по научной работе С.А. Аксенов. Он отметил важность вопросов измерений характеристик и параметров электронных изделий для наших образовательных программ, особенно, в условиях импортозамещения, когда доступ к зарубежному измерительному оборудованию сильно усложнен. С.А. Аксенов высоко оценил развитие взаимоотношений с компанией «ФОРМ», которая производит отечественное измерительное оборудование, используемое на многих отечественных предприятиях и предоставило МИЭМ тестер микросхем Формула 2К в рамках договора о сотрудничестве между НИУ ВШЭ и ООО «ФОРМ».

От ООО «ФОРМ» с вступительным словом выступила руководитель отдела продаж Е.А. Бочарова. Она отметила успешность развития отношений с МИЭМ НИУ ВШЭ и рассказала о новых разработках предприятия в области измерений.

От ООО «ФОРМ» были сделаны доклады:

  1. Современные средства измерений FORMULA для контроля полупроводниковых приборов – выступил руководитель службы технической поддержки ООО «ФОРМ» Е.В. Турлаев.
  2. Автоматизация процесса измерений СБИС на базе линейки Тестеров FORMULA HF – выступил В.И. Чехутский.
  3. Методика разработки специализированной оснастки для контроля электронных компонентов при нормальных условиях и в диапазоне температур. – доложил сотрудник ЗАО «ИЛФОРМ» К.А. Андреев.
  4. Масштабируемая система прослеживаемости качества электронных компонентов «Камчатка» - ООО «ФОРМ» А.Д. Фадеева.

От МИЭМ НИУ ВШЭ были сделаны доклады:

  1. Аппаратно-программный комплекс для измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE моделей МОП компонентов с учетом факторов радиации - (К.О. Петросянц, И.А Харитонов, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде), доложил И.А Харитонов.
  2. Автоматизированное измерение электрических характеристик и определение параметров SPICE моделей МОП компонентов высокотемпературной электроники - (К.О. Петросянц, И.А Харитонов, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде), доложил Л.М. Самбурский.
  3. Применение оборудования NI DAQ в процессе обучения измерительным технологиям - М.И. Красивская.
  4. Особенности измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE моделей биполярных компонентов с учетом факторов радиации – (К.О. Петросянц, М.В. Кожухов)

От НИЯУ МИФИ проф. В.Д. Поповым был сделан доклад «Методика измерений параметров СБИС для прогнозирования их радиационной стойкости».

Доклады вызвали большой интерес присутствующих.

В холле 5-го этажа ООО ФОРМ презентовала  свои новые разработки измерительной аппаратуры:

  • Тестер СБИС FORMULA HF3М,
  • Тестер БИС и ИМС FOTMULA 2K,
  • Тестер полупроводниковых приборов ТТ2,
  • Тестер полупроводниковых приборов FORMULA TT3.

Представленная измерительная аппаратура была воспринята с большим интересом.