• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство

и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович

Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич

Заместитель директора Романов Виктор Владимирович

Заместитель директора Костинский Александр Юльевич

Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна

Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович

Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич

Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/40/15
100 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
30/20
30 бюджетных мест
20 платных мест
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/45/1
30 бюджетных мест
45 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
30/5/2
30 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/2
20 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/15/2
50 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/2
20 бюджетных мест
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/2
25 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/4
20 бюджетных мест
5 платных мест
4 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Интегрально-оптические устройства: новые технологии

14 мая 2019 года состоялся очередной научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ. С докладом "Разработка и создание оптических интегральных схем» выступил аспирант 2-го года обучения Базовой кафедры квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО "Сконтел" Проходцов Алексей Игоревич.

Доклад был посвящен разработке и созданию оптических интегральных схем (ОИС), которые представляют собой устройства, объединяющие в себе несколько компонентов: источники света, логические элементы и детекторы оптического излучения. Основное различие ОИС между электронными интегральными схемами состоит в том, что в ОИС для передачи информации используется оптический сигнал, обычно в видимом спектре или в ближнем инфракрасном диапазоне (от 850 до 1650 нм) вместо электрического тока. Подобно электронным микросхемам в оптических множество элементов можно объединить в сложные схемы, полностью готовые устройства, путем соединения отдельных компонент с оптическими волноводами. Преимуществами интегрально-оптических устройств являются помехоустойчивость, низкое энергопотребление и тепловыделение и др. Кроме того, технология изготовления оптических элементов зачастую является КМОП-совместимой, что позволяет применить её уже на существующих линиях изготовления ИС.

В начале доклада Проходцов А.И. рассказал об оптических интегральных схемах и основных элементах для ввода/вывода и распространения света на чипе, а также рассмотрены их преимущества над оптоволоконными аналогами. Далее был показан процесс разработки дизайна и технологического маршрута изготовления оптического планарного волновода на чипе из нитрида кремния, а также рассмотрена методика экспериментальных измерений изготовленных структур. 

Основная часть доклада была посвящена конкретным проектам аспиранта:

  1. Квантовый генератор случайных чисел (QRNG) на чипе. Создаваемое устройство представляет собой интегрально оптическую структуру, в которой генерация случайных чисел происходит за счет флуктуаций фазы лазерного диода на входе схемы, приводя к флуктуациям амплитуды сигнала на выходе за счет использования интерферометра Маха-Цендера с плечами разной длины.
  2. 3D оптические межсоединения. Такие межсоединения нужны для увеличения скорости передачи сигналов от одной микросхемы и уменьшения энергопотребления за счет перевода электрических сигналов в оптические и обратно.
  3. Флип-чип вертикально излучающего лазера (VCSEL) с планарной оптической схемой. Разрабатываемая технология позволит интегрировать лазерные диоды с решеточным элементом связи для последующей реализации полностью законченных интегрально-оптических устройств со всеми необходимыми компонентами на одном чипе.

Задачи, имеющиеся в проектах, направлены не только на создание отдельных устройств, но и помогают решить цель диссертационной работы - создание полностью законченных интегрально-оптических устройств на чипе.

В ходе обсуждения доклада слушателями были заданы вопросы о способах ввода и вывода излучения и его распространении в волноводе.