• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
60/10/3
60 бюджетных мест
10 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
126/40/15
126 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/20/10
45 бюджетных мест
20 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/45/5
40 бюджетных мест
45 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
87/40/6
87 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Научные семинары профессора Санг-Вук Чеонга (США) о сложных функциональных материалах

В МИЭМ НИУ ВШЭ прошли научные семинары профессора Санг-Вук Чеонга из Центра исследований перспективных материалов Ратгерского университета (Нью-Джерси, США), организованные департаментом электронной инженерии.

Первый семинар - «Мультиферроики - перспективные функциональные материалы для микроэлектроники. Последние достижения» был посвящен новым функциональным материалам, в которых сегнетоэлектричество и магнетизм сосуществуют и оказываются взаимосвязанными. В последние несколько лет наблюдается существенный прогресс в этой области, сопровождающийся открытием и исследованием новых классов подобных соединений, а также более глубоким пониманием природы магнитоэлектрических эффектов в таких материалах. Были обсуждены новейшие достижения как в физике этих материалов, так и связанный с ними прогресс в технологической области.  

Второй  семинар - «Топология доменных структур  в различных квантовых материалах»  был посвящен инженерии доменных  структур и доменных границ, новой  топологической классификации доменных  конфигураций, новым необычным свойствам  доменных границ, существенно отличающимся  от свойств самих доменов. Инженерия доменных структур и доменных границ составляет квинтэссенцию в области реального использования разнообразных функциональных материалов. Однако только недавно пришло понимание того, что конфигурации этих доменов и доменных границ могут иметь весьма нетривиальные топологические характеристики. Была обсуждена новая топологическая классификация доменных конфигураций, соответствующих как изинговскому (скалярному), так и двухкомпонентному параметрам порядка: домены типа Zm×Zn (m и n - переменные, отвечающие вращениям и перемещениям в пространстве) и Zl -вихри (l - число контактирующих между собой доменов и доменных границ). Такая классификация, наряду с концепцией топологически защищённых состояний и сохранением топологического заряда, была использована для описания широкого класса материалов таких, как несобственные сегнетоэлектрики R(Mn,Fe)O3, антисегнетоэлектрик In(Mn,Ga)O3, гибридный несобственный сегнетоэлектрик (Ca,Sr)3Ti2O7, соединение Fe1/3TaS2 со спиральной (и ферромагнитной) структурой и магнитный сверхпроводник Sr2VO3FeAs. Также были обсуждены новые необычные свойства доменных границ, существенно отличающиеся от свойств самих доменов. Обсуждаемые топологические соображения создают основу для понимания особенностей формирования кинетики доменов и их границ в квантовых материалах, а также управления ими и оптимизации их характеристик.


Санг-Вук Чеонг изучал математику в Сеульском национальном университете и физику в Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (UCLA). Он защитил докторскую диссертацию (PhD) в UCLA в 1989 г., при этом большая часть его исследований выполнялась в Лос-Аламосской национальной лаборатории. В 1989-1991 гг. он был постдоком в Bell Laboratories фирмы AT&T (1989-1991), а затем получил там постоянную позицию. В 1997 г. он перешёл на должность ординарного профессора Раттгерского университета, продолжая работать в качестве совместителя в Bell Laboratories до 2001 г. В 2001 г. он получил звание заслуженного профессора Раттгерского университета, а в 2005 г основал в этом университете Центр исследований перспективных материалов и стал его директором. В 2011 г. он вошёл в число членов комитета управления Раттгерского университета.

Научная деятельность проф. Чеонга сконцентрирована на процессах мезоскопической самоорганизации в твёрдых телах, включая образование наноструктур с полосчатым распределением электрического заряда, мезоскопическое электронное фазовое расслоение в окислах переходных металлов с переменной валентностью и образование вихревых доменов с необычной топологией в несобственных сегнетоэлектриках. Формирование и топология таких самоорганизующихся текстур имеет далеко идущие аналогии в других областях естественных наук и в математике (теория графов) и даже в космологии. Проф. Чеонг также внёс существенный вклад в исследования, посвящённые улучшению функциональных характеристик сложных систем, демонстрирующих коллективные корреляционные эффекты такие, как колоссальное магнитосопротивление и гигантские магнитоэлектрические эффекты.

Материалы, синтезированные в лаборатории проф. Чеонга, нашли широкое применение, в том числе и в рамках международного сотрудничества. Полученные результаты отражены примерно в 700-х публикациях. В течение последнего десятилетия проф. Чеонг неоднократно выступал в роли приглашённого исследователя в различных научно-исследовательских учреждениях, главным образом в Азии, включая Токийский университет (Япония), Постех (Корея), Национальный центр синхротронных исследований (Тайвань), Институт металловедения (г. Шеньян, Китай) и Нанкинский университет (Китай). Работы, проводимые им в качестве приглашённого исследователя, способствовали в этих странах существенному прогрессу науки о сложных функциональных материалах.

В 2000 г. проф. Чеонг был избран членом Американского физического общества, а в 2003 г. вошёл в список 13-ти наиболее цитируемых физиков предыдущего десятилетия. В 2007 г. он был награждён премией компании Самсунг за вклад в науку (Ho-Am Prize), a в 2010 г. - премией им. Джеймса МакГродди Американского физического общества. В 2008-2011 гг. работал в качестве научного редактора журнала Physical Review Letters, а в настоящее время является главным редактором журнала Quantum Materials (журнал группы Nature). В 2014 г. компания Thomson-Reuters (ведущая известную базу данных Web of Science) назвала его имя в ряду "Наиболее влиятельных мыслителей в области науки".

Библиометрические данные

724 публикации, более 41000 цитирований, 6 статей, процитированных более 1000 раз, индекс Хирша = 98  

Интернет-сайт: http://rcem.rutgers.edu