6-ая международная школа-конференция по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам в Санкт-Петербурге
С 22 по 25 апреля 2019 года прошла 6-ая международная школа-конференция по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам ("Saint Peterburg OPEN 2019). Аспиранты НУЛ «Квантовая наноэлекторники» приняли участие с постерными докладами.
Маргарита Полякова подготовила доклад по результатам своей работы: "Извлечение длины взаимодействия двух горячих пятен сверхпроводникового однофотонного детектора из данных квантовой томографии детектора"
В докладе сообщалось о квантовой томографии сверхпроводящего однофотонного детектора. Было показано, как можно извлечь длину взаимодействия двух горячих пятен из данных томографии, исключая при этом ошибку, возникающую от схемы смещения.
Евгения Зубкова подготовила постерный доклад на тему: " CWDM демультиплексор на чипе на основе антинаправленного ответвителя из нитрида кремния "Доклад был о разработке и изготовлении 9 канального CWDM демультиплексора для телекоммуникационных длин волн на основе антинаправленного ответвителя. Материалом, из которого изготавливались структуры, является Si3N4. В работе был представлен спектр пропускания основного канала демультиплексора и отраженный спектр в каждом канале структуры. Средняя ширина канала составляет около 3 nm.
Тема доклада Алексея Кузина: "Эффективность фокусирующих решеток в зависимости от длины и угла тейпера".В данном докладе экспериментально показано влияние геометрических параметров фокусирующих решеток на их эффективность в зависимости от длины и угла тейпера, а также сравнение его с численной моделью. Полученные экспериментальным путём данные хорошо согласованы с численной трехмерной моделью, которая открывает перспективы для повышения эффективности оптической связи в будущем.
Тема постерного доклада Михаила Давыдченко: "Оптимизация процесса получения бислойных сверхпроводниковых пленок на основе нитрида ниобия и золота при изготовлении сверхпроводникового однофотонного детектора". В докладе было показано, как нанесение нормального металла на тонкий сверхпроводник усиливает его уникальные сверхпроводящие свойства. Прежде всего, нормальный слой обеспечивает доминирующий вклад в диамагнитный отклик всей двухслойной структуры в широком интервале температур ниже критической температуры за счет эффекта близости. Во-вторых, наличие нормального слоя может в несколько раз увеличить критический ток в создаваемых структурах, что обеспечивает существенную температурную зависимость как критического тока, так и глубины проникновения эффективного магнитного поля даже при температурах, значительно превышающих критическое значение. Кроме того, были продемонстрированы характеристики двухслойных однофотонных сверхпроводящих детекторов.