• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
60/10/3
60 бюджетных мест
10 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
126/40/15
126 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/20/10
45 бюджетных мест
20 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/45/5
40 бюджетных мест
45 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
87/40/6
87 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/?/1
25 бюджетных мест
5 мест за счет средств ВШЭ
Количество платных мест уточняется
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Теория растворов со сложной электрической структурой

18 сентября на научно-исследовательском семинаре “Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии” (Компьютерные среды) выступил Будков Юрий Алексеевич, д. ф.-м.н., к.х.н., доцент департамента прикладной математики МИЭМ и заведующий лабораторией Структуры и динамики молекулярных и ион-молекулярных растворов ИХР РАН.

В докладе “Статистическая теория растворов молекул со сложной электрической структурой: приложение к растворам полярных молекул” Юрий Алексеевич подробно рассказал о недавних результатах, полученных в области построения систематической теории растворов молекул со сложной внутренней электрической структурой. Будков Ю.А. подчеркнул сложность построения модели растворов макромолекулярных систем (к которым относятся полимерные растворы, растворы нуклеиновых кислот и белков), по сравнению с низкомолекулярными растворами. В таких системах заряды разнесены на большие расстояния, поэтому важно, чтобы модель учитывала нелокальность заряда. В первой части доклада обсуждалась модель солевого раствора полярных молекул, представляющих собой диполи, составленные из равных по модулю и противоположных по знаку точечных зарядов, расположенных друг от друга на флуктуирующих расстояниях. Затем было показано, как можно обобщить эту модель на случай солевых растворов многополярных молекул, а также на случай ассоциатов — полярных молекул, способных образовывать цепные кластеры по механизму “голова-хвост”. В последней части доклада автор привел наиболее общую модель растворов электрически нейтральных молекул с произвольным внутренним распределением заряда.

Доклад был хорошо структурирован, насыщен терминами и последовательными математическими выкладками, что позволило слушателям активно погрузиться в обсуждение представленного материала.