• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Мероприятия
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
61/5/3
61 бюджетное место
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
115/30/15
115 бюджетных мест
30 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/15/10
45 бюджетных мест
15 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/50/5
40 бюджетных мест
50 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Информационная безопасность киберфизических систем

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Наноэлектроника и квантовые технологии

2 года
Очная форма обучения
35/5/1
35 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системный анализ и математические технологии

2 года
Очная форма обучения
65/15/9
65 бюджетных мест
15 платных мест
9 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Глава в книге
Киберфизические системы для программистов

Агамирзян И. Р., Буров В. В.

В кн.: Преподавание информационных технологий в Российской Федерации: материалы восемнадцатой открытой всероссийской конференции. М.: Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий, 2020.

Глава в книге
Using of Automatically and Semi-automatically Generated Diagrams in Educational Practice

Patarakin Y., Burov V.

In bk.: Electronic Governance and Open Society: Challenges in Eurasia. EGOSE 2019 (Communications in Computer and Information Science). Vol. vol 1135. Springer, 2020. P. 308-319.

Глава в книге
The Effective Dielectric Constant of a Composite with Conductive Nanoparticles

Abrameshin A. E., Chetverikov V.

In bk.: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-6.

Книга
Fiber Optic and Atmospheric Optical Communication

Blaunstein N., Engelberg S., Krouk E. et al.

Wiley, 2020.

Статья
Electron Transport in Polyethyleneterephthalate

A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.

Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.

Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». Форум организован ведущими институтами и дизайн- центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ, а также при поддержке ДРЭП Министерства промышленности и торговли РФ, госкорпорации «Ростех», АО «Росэлектроника», инновационного центра «Сколково», Союза машиностроителей России и федеральной программы «Работай в России!».

Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 2 года превысил 60%. В 2018 г. приняло участие более 450 человек. Помимо этого, «Микроэлектроника 2018» продемонстрировала бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.

Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.

Данное событие является знаковым и долгожданным как для микроэлектронной отрасли, так и для всего научного сообщества.

Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил пять докладов:

1. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства .

2. Петросянц К.О. Библиотека моделей радиационных зависимостей физических параметров биполярных и МОП транзисторов в системе TCAD RAD.

3. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Батаруева Е.И. Электро-тепловые SPICE модели межсоединений.

4. Харитонов И.А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов.

5. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели.

Три доклада (Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства, Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов, Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели) представил профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Харитонов И.А.

Доклады вызвали живой интерес у присутствующих. Была достигнута принципиальная договоренность о сотрудничестве с ООО «ЭРЕМЕКС», разработчиком Российской САПР электронных устройств.