Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru
![]() |
МИЭМ НИУ ВШЭ — институт с 58-летней историей, готовит специалистов для высокотехнологичных отраслей промышленности. Педагогический коллектив МИЭМ включает 1 академика РАН, 4 члена-корреспондента РАН, 34 лауреата государственных премий РФ. Тесные связи с ведущими отраслевыми институтами, институтами РАН, мировыми компаниями, такими как National Instruments, InfoWatch, Zyxel, QNAP, Altium Limited, а также оснащенные новейшим оборудованием лаборатории: 3D визуализации; лазерных технологий; телекоммуникации; кибербезопасности — позволяют готовить востребованных специалистов на самом высоком уровне.
В кн.: Преподавание информационных технологий в Российской Федерации: материалы восемнадцатой открытой всероссийской конференции. М.: Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий, 2020.
Кищик М. С., Котов А. Д., Дёмин Д. О. и др.
Физика металлов и металловедение. 2020. Т. 121. № 6. С. 659-666.
In bk.: Electronic Governance and Open Society: Challenges in Eurasia. EGOSE 2019 (Communications in Computer and Information Science). Vol. vol 1135. Springer, 2020. P. 308-319.
Metals. 2020. No. ISSN 2075-4701.
Abrameshin A. E., Chetverikov V.
In bk.: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-6.
Blaunstein N., Engelberg S., Krouk E. et al.
Wiley, 2020.
A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.
Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». Форум организован ведущими институтами и дизайн- центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ, а также при поддержке ДРЭП Министерства промышленности и торговли РФ, госкорпорации «Ростех», АО «Росэлектроника», инновационного центра «Сколково», Союза машиностроителей России и федеральной программы «Работай в России!».
Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 2 года превысил 60%. В 2018 г. приняло участие более 450 человек. Помимо этого, «Микроэлектроника 2018» продемонстрировала бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.
Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.
Данное событие является знаковым и долгожданным как для микроэлектронной отрасли, так и для всего научного сообщества.
Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил пять докладов:
1. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства .
2. Петросянц К.О. Библиотека моделей радиационных зависимостей физических параметров биполярных и МОП транзисторов в системе TCAD RAD.
3. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Батаруева Е.И. Электро-тепловые SPICE модели межсоединений.
4. Харитонов И.А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов.
5. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели.
Три доклада (Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства, Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов, Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели) представил профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Харитонов И.А.
Доклады вызвали живой интерес у присутствующих. Была достигнута принципиальная договоренность о сотрудничестве с ООО «ЭРЕМЕКС», разработчиком Российской САПР электронных устройств.