Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». Форум организован ведущими институтами и дизайн- центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ, а также при поддержке ДРЭП Министерства промышленности и торговли РФ, госкорпорации «Ростех», АО «Росэлектроника», инновационного центра «Сколково», Союза машиностроителей России и федеральной программы «Работай в России!».

Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 2 года превысил 60%. В 2018 г. приняло участие более 450 человек. Помимо этого, «Микроэлектроника 2018» продемонстрировала бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.

Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.

Данное событие является знаковым и долгожданным как для микроэлектронной отрасли, так и для всего научного сообщества.

Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил пять докладов:

1. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства .

2. Петросянц К.О. Библиотека моделей радиационных зависимостей физических параметров биполярных и МОП транзисторов в системе TCAD RAD.

3. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Батаруева Е.И. Электро-тепловые SPICE модели межсоединений.

4. Харитонов И.А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов.

5. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Исмаил-заде М.Р. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели.

Три доклада (Принципы разработки библиотеки SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства, Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС c учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов, Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели) представил профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Харитонов И.А.

Доклады вызвали живой интерес у присутствующих. Была достигнута принципиальная договоренность о сотрудничестве с ООО «ЭРЕМЕКС», разработчиком Российской САПР электронных устройств.