• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Меню

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

Международный форум «Микроэлектроника 2017»

Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная  площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур  микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.

Среди обсуждаемых тем: перспективы разработки и производства электроники в России, господдержка отрасли, частные и государственные инвестиции в её развитие, гражданская радиоэлектроника и выход российских продуктов на глобальный рынок, стимулирование внутреннего рынка и кластерный подход.

Фундаментальным мероприятием Международного форума «Микроэлектроника 2017» стала 3-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули», работа которой происходила в рамках пленарного заседания, итогового круглого стола и работы по 8 секциям.


Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
представил один пленарный доклад:

  • Петросянц К. О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры.


и три секционных доклада:

  • Петросянц К. О., Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
  • Петросянц К. О., Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г., Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС
  • Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП- и биполярных транзисторов