• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Мероприятия
9 декабря, 16:40
Гость – Сизова Анна 
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
60/10/3
60 бюджетных мест
10 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
126/40/15
126 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/20/10
45 бюджетных мест
20 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/45/5
40 бюджетных мест
45 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
87/40/6
87 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Международный форум «Микроэлектроника 2017»

Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная  площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур  микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.

Среди обсуждаемых тем: перспективы разработки и производства электроники в России, господдержка отрасли, частные и государственные инвестиции в её развитие, гражданская радиоэлектроника и выход российских продуктов на глобальный рынок, стимулирование внутреннего рынка и кластерный подход.

Фундаментальным мероприятием Международного форума «Микроэлектроника 2017» стала 3-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули», работа которой происходила в рамках пленарного заседания, итогового круглого стола и работы по 8 секциям.


Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
представил один пленарный доклад:

  • Петросянц К. О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры.


и три секционных доклада:

  • Петросянц К. О., Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
  • Петросянц К. О., Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г., Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС
  • Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП- и биполярных транзисторов