Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.

  • A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.
На выставке с представителями компании Mentor Graphics – крупнейшего мирового производителя САПР для электронной аппаратуры.

Россия на симпозиуме была представлена докладом ученых МИЭМ НИУ ВШЭ Петросянца К.О., Харитонова И.А., Самбурского Л.М.: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C» (Параметризация высокотемпературной субмикронной КНИ КМОП технологии для аналоговых и цифровых применений до 300оС).

Доклад вызвал большой интерес и получил высокую оценку зарубежных коллег.


 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!