Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

Россия на симпозиуме была представлена докладом ученых МИЭМ НИУ ВШЭ Петросянца К.О., Харитонова И.А., Самбурского Л.М.: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C» (Параметризация высокотемпературной субмикронной КНИ КМОП технологии для аналоговых и цифровых применений до 300^оС).

Доклад вызвал большой интерес и получил высокую оценку зарубежных коллег.