• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Мероприятия
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
61/5/3
61 бюджетное место
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
115/30/15
115 бюджетных мест
30 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/15/10
45 бюджетных мест
15 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/50/5
40 бюджетных мест
50 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Информационная безопасность киберфизических систем

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Наноэлектроника и квантовые технологии

2 года
Очная форма обучения
35/5/1
35 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системный анализ и математические технологии

2 года
Очная форма обучения
65/15/9
65 бюджетных мест
15 платных мест
9 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Глава в книге
Киберфизические системы для программистов

Агамирзян И. Р., Буров В. В.

В кн.: Преподавание информационных технологий в Российской Федерации: материалы восемнадцатой открытой всероссийской конференции. М.: Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий, 2020.

Глава в книге
Using of Automatically and Semi-automatically Generated Diagrams in Educational Practice

Patarakin Y., Burov V.

In bk.: Electronic Governance and Open Society: Challenges in Eurasia. EGOSE 2019 (Communications in Computer and Information Science). Vol. vol 1135. Springer, 2020. P. 308-319.

Глава в книге
The Effective Dielectric Constant of a Composite with Conductive Nanoparticles

Abrameshin A. E., Chetverikov V.

In bk.: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-6.

Книга
Fiber Optic and Atmospheric Optical Communication

Blaunstein N., Engelberg S., Krouk E. et al.

Wiley, 2020.

Статья
Electron Transport in Polyethyleneterephthalate

A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.

Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

THERMINIC основное европейское совещание по тепловым проблемам в электронных компонентах и системах. В нём принимали участие более 100 представителей университетов и компаний из 20 стран, работающие в области микроэлектроники и силовой электроники.

Организаторами совещания стали Институт инженеров электротехники и электроники (Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE) и Будапештский университет технологии и экономики (Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem, BME). Спонсорами были компании Mentor Grapihics – один из лидеров производства САПР электроники – и Huawei – один из крупнейших производителей информационно-коммуникационного оборудования.

На секции «Тепловая характеризация и моделирование» доцент департамента электронной инженерии Л. М. Самбурский представил доклад коллектива авторов из МИЭМ НИУ ВШЭ и Дизайн-центра НИУ МИЭТ:
 К. О. Петросянц, С. В. Лебедев, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин; И. А. Харитонов «Исследование свойств малоразмерных КНИ МОП-транзисторов в расширенном диапазоне температуры (до 300°C)».

Тема доклада чрезвычайно актуальна для современной электроники, в этой области проводят технологические, конструкторские, схемотехнические исследования несколько научных групп. Результаты таких исследований важны при внедрении электронной аппаратуры для контроля процессов и управления механизмами в условиях повышенной температуры, где очень сложно или невозможно обеспечить охлаждение электронных компонентов. В современных автомобилях устанавливаются электро-механические системы: различного рода датчики, системы управления и передачи сигналов, которые необходимо располагать в непосредственной близости от источников нагрева. При глубинном бурении в нефтегазовой промышленности системы сбора петрофизической информации о параметрах скважины, находящиеся на фрезах, должны работать при температуре, зависящей от глубины скважины, причём температура повышается в среднем на 25 градусов на каждый километр глубины, а в некоторых местностях и больше. В бортовой аппаратуре самолётов электроника должна заменить гидравлические и механические системы управления. Аппаратура космических кораблей, предназначенных для межпланетных полётов, например, на Венеру и Меркурий, будет находиться в разгорячённой атмосфере этих планет.

В микроэлектронных компонентах высокотемпературных систем обычно используются транзисторы, размеры которых значительно превышают размеры транзисторов в передовых цифровых системах общего назначения (микропроцессорах, схемах памяти). В данной работе проверялась возможность использования КМОП-транзисторов на изолирующей подложке (КНИ КМОП-транзисторов) с малыми размерами канала (с длиной 180 нм) для создания электронных схем на отечественной технологической базе. Были проведены измерения электрических характеристик транзисторов в диапазоне температуры до 300°C, рассчитана деградация основных параметров транзисторов, разработана компактная SPICE-модель транзисторов и определены её параметры, проведено схемотехническое моделирование.

Результаты работы показали, что исследуемая производственная технология является подходящим кандидатом для создания на её основе высокотемпературных электронных схем, что позволяет переходить к следующей этапу: разработке и оптимизации схемотехнических решений.