• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Мероприятия
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
61/5/3
61 бюджетное место
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
115/30/15
115 бюджетных мест
30 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/15/10
45 бюджетных мест
15 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/50/5
40 бюджетных мест
50 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Информационная безопасность киберфизических систем

2 года
Очная форма обучения
20/5
20 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Наноэлектроника и квантовые технологии

2 года
Очная форма обучения
35/5/1
35 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системный анализ и математические технологии

2 года
Очная форма обучения
65/15/9
65 бюджетных мест
15 платных мест
9 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Глава в книге
Киберфизические системы для программистов

Агамирзян И. Р., Буров В. В.

В кн.: Преподавание информационных технологий в Российской Федерации: материалы восемнадцатой открытой всероссийской конференции. М.: Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий, 2020.

Глава в книге
Using of Automatically and Semi-automatically Generated Diagrams in Educational Practice

Patarakin Y., Burov V.

In bk.: Electronic Governance and Open Society: Challenges in Eurasia. EGOSE 2019 (Communications in Computer and Information Science). Vol. vol 1135. Springer, 2020. P. 308-319.

Глава в книге
The Effective Dielectric Constant of a Composite with Conductive Nanoparticles

Abrameshin A. E., Chetverikov V.

In bk.: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-6.

Книга
Fiber Optic and Atmospheric Optical Communication

Blaunstein N., Engelberg S., Krouk E. et al.

Wiley, 2020.

Статья
Electron Transport in Polyethyleneterephthalate

A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.

Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.  

Ежегодно в работе конференций «Радиационная стойкость электронных систем» принимают участие специалисты более 70 организаций ведущих научно-исследовательских институтов Росатома и Роскосмоса, предприятий оборонных отраслей промышленности, Академии наук, Высшей школы. Программа конференции включает более 150 устных и стендовых докладов по наиболее развивающимся тематическим направлениям.

Тематика конференции включает следующие направления:

  • Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры.
  • Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои.
  • Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.
  • Расчётные и экспериментальные методы определения радиационной стойкости изделий.
  • Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний.

От МИЭМ НИУ ВШЭ были представлены  доклады:

  • Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.
    К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»)
  • Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300С)
    К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)