Ординарный профессор К.О. Петросянц выступил с докладом на мировом симпозиуме

С 6-го по 9-е апреля 2016 г. в Бразилии (г. Фоз-ду-Игуасу) под эгидой Международного общества инженеров в области электротехники и электроники IEEE проходил мировой симпозиум по вопросам контроля и тестирования в микро- и наноэлектронике IEEE Latin American Test Symposium (LATS—2016).

На симпозиуме были представлены доклады ведущих мировых учёных и специалистов крупнейших компаний – производителей приборов и программного обеспечения в области микроэлектроники более чем из 20 стран: США, Великобритании, Франции, Германии, Италии, Китая, Японии, России, Бразилии, Аргентины, Мексики, Уругвая и др.
Все принятые к выступлению доклады прошли многоступенчатую процедуру отбора и рецензирования.
Россия была представлена на симпозиуме докладом сотрудников Высшей школы экономики, департамента электронной инженерии МИЭМ: K. O. Petrosyants, L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov, B. G. Lvov, “Fault Simulation in Radiation Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model”, который сделал ординарный профессор К. О. Петросянц.
Доклад вызвал большой интерес. По его результатам коллектив учёных МИЭМ НИУ ВШЭ получил приглашения на участие в трёх крупных международных конференциях и предложения от издателей на публикацию своих работ в нескольких высокорейтинговых научных зарубежных журналах.