• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Меню

Московский институт электроники
и математики им. А.Н. Тихонова

С 28 сентября по 3 октября 2015 г. в Алуште прошла Международная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Микроэлектроника 2015)

Организаторами конференции выступили крупнейшие Российские предприятия-производители микроэлектронной продукции ОАО «НИИМА «Прогресс» и ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также НИУ МИЭТ.

Организаторами конференции выступили крупнейшие Российские предприятия-производители микроэлектронной продукции ОАО «НИИМА «Прогресс» и ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также крупнейшее учебное заведение, готовящее специалистов в этой области: НИУ МИЭТ. На конференции были представлены доклады по следующей тематике:

  • Навигационно-связные СБИС и  модули     
  • Интегральные схемы для аппаратуры космического назначения
  • Полузаказные  СБИС
  • СВЧ модули и интегральные схемы
  • Методы и алгоритмы САПР СБИС
  • Микросистемы на основе технологий микроэлектроники
  • Материалы микро- и наноэлектроники
  • Технология и элементная база современных СБИС и электронных модулей
  • Бортовые информационно-управляющие системы
  • Аналоговые и аналого-цифровые микросхемы
  • Микропроцессоры, микроконтроллеры и системы на кристалле.

 Представители МИЭМ ВШЭ К. О. Петросянц и Л. М. Самбурский сделали три доклада, посвящённых моделированию радиационного и теплового воздействия на электронные структуры:

  1. К. О. Петросянц, Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов;
  2. К. О. Петросянц, П. А. Козынко, Н. И. Рябов, И. А. Харитонов, Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР;
  3. С. В. Лебедев, К.О. Петросянц, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, И. А. Харитонов, Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С).