С 28 сентября по 3 октября 2015 г. в Алуште прошла Международная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Микроэлектроника 2015)

Организаторами конференции выступили крупнейшие Российские предприятия-производители микроэлектронной продукции ОАО «НИИМА «Прогресс» и ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также НИУ МИЭТ.

Организаторами конференции выступили крупнейшие Российские предприятия-производители микроэлектронной продукции ОАО «НИИМА «Прогресс» и ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также крупнейшее учебное заведение, готовящее специалистов в этой области: НИУ МИЭТ. На конференции были представлены доклады по следующей тематике:

• Навигационно-связные СБИС и  модули     
• Интегральные схемы для аппаратуры космического назначения
• Полузаказные  СБИС
• СВЧ модули и интегральные схемы
• Методы и алгоритмы САПР СБИС
• Микросистемы на основе технологий микроэлектроники
• Материалы микро- и наноэлектроники
• Технология и элементная база современных СБИС и электронных модулей
• Бортовые информационно-управляющие системы
• Аналоговые и аналого-цифровые микросхемы
• Микропроцессоры, микроконтроллеры и системы на кристалле.

 Представители МИЭМ ВШЭ К. О. Петросянц и Л. М. Самбурский сделали три доклада, посвящённых моделированию радиационного и теплового воздействия на электронные структуры:

1. К. О. Петросянц, Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов;
2. К. О. Петросянц, П. А. Козынко, Н. И. Рябов, И. А. Харитонов, Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР;
3. С. В. Лебедев, К.О. Петросянц, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, И. А. Харитонов, Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С).