The Conference on RADiation Effects on Components and Systems(RADECS-2015)

С 14-го по 18-е сентября 2015 г. в Москве при поддержке Роскосмоса, Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства г. Москвы, Международной ассоциации участников космической деятельности (МАКД) и Международной ассоциации RADECS была проведена крупнейшая Европейская конференция по порадиационным эффектам в компонентах и системах The Conference on RADiation Effects on Components and Systems (RADECS-2015).

С 14-го по 18-е сентября 2015 г. в Москве при поддержке Роскосмоса, Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства г. Москвы, Международной ассоциации участников космической деятельности (МАКД) и Международной ассоциации RADECS была проведена крупнейшая Европейская конференция по порадиационным эффектам в компонентах и системах The Conference on RADiation Effects on Components and Systems (RADECS-2015).

Профессор Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ К. О.  Петросянц и его аспиранты Максим Кожухов и Дмитрий Попов представили три доклада, посвящённых моделированию воздействия излучения на транзисторные структуры:

1. SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiation;
2. TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate;
3. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects.