100 лет со дня рождения ЕПИФАНОВА ГЕОРГИЯ ИВАНОВИЧА
Заслуженный деятель науки и техники, профессор, д.ф- м. н. Георгий Иванович Епифанов был первым заведующим кафедрой «Общая физика» Московского института электронного машиностроения (МИЭМ) с 1962 по 1965 год.
В 1965 году Епифанов Г.И. возглавил основанную им кафедру "Физические основы электронной техники" (ФОЭТ).
Будучи выходцем из семьи кубанского крестьянина, он был неподдельно интеллигентным человеком. Епифанов Г.И. очень любил свой коллектив, заботился и о тех, кого без конца хвалил, и о тех, кого без конца бранил. Он был внимательным и азартным слушателем чужих научных выступлений, с ним было интересно и приятно спорить. Его замечательной чертой была полная беспристрастность в оценках. Формальную поддержку, без эмоций и восхищения, он считал аморальной, но если работа отклонялась, то делалось это, по мере сил, тактично. В своем коллективе, где собрались люди самые разные, он был абсолютным демократом. До последних дней, работая в 75 лет с энергией молодого, Епифанов Г.И занимался реорганизацией высшего образования.
Сотрудниками кафедры были впервые разработаны курсы "Физические основы электронной техники" и "Физические основы микроэлектроники", которые были утверждены Министерством образования и рекомендованы к чтению в технических вузах страны. Введение этих курсов потребовало большой работы по разработке методических пособий по практическим занятиям и постановке лабораторного практикума.
С 1971 г. кафедра ФОЭТ совместно с кафедрой «Материалы электронной техники» (МЭТ) стала выпускающей по специализации " Космическое и радиационное материаловедение и приборостроение", что было вызвано развитием радиационно-технологических методов в производстве изделии электронной техники и уникальными возможностями, которые открывали космические эксперименты для получения новых материалов.
Преподавателями кафедры разработан первый в стране учебный план специализации"Космическое и радиационное материаловедение и приборостроение". Созданы программы спецкурсов "Физические основы надёжности полупроводниковых приборов", "Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и изделий электронной техники", "Физические основы методов радиационной технологии", "Электронный луч" и др.
Введение новой специализации привело к созданию специальных практикумов по технике физического эксперимента, по методам исследования электрофизических параметров полупроводников, по радиационной стойкости полупроводниковых приборов, по надёжности изделий электронной техники.
В 1970 г. Епифанов Г.И. организовал проблемную лабораторию при кафедре и возглавил научное направление "Защита и герметизация полупроводниковых приборов и интегральных схем". По этому направлению создана научная школа, имеющая высокий авторитет в отечественной науке и за рубежом.
Кафедра всегда имела широкие связи с промышленностью и научными организациями. В течение 20 лет на кафедре действовала отраслевая лаборатория "Защита и герметизация изделий электронной техники", в которой совместно с институтами АН СССР, заводскими КБ и НИИ Министерства электронной промышленности (МЭП) СССР разрабатывались, исследовались и внедрялись в производство защитные и герметизирующие покрытия.
Помимо этого все научные сотрудники и преподаватели кафедры поддерживали тесные научные и производственные контакты со многими "головными" НИИ бывшего Министерства электронной промышленности СССР, а также с институтами Академии наук. В интересах Министерства преподавателями кафедры выполнен целый ряд прикладных научно-исследовательских работ, результаты которых были использованы в промышленности.
Профессор Епифанов Г.И. – автор известных монографий, учебников и учебных пособий выдержавших многочисленные издания. «Физика твердого тела», «Физические основы микроэлектроники», «Твердотельная электроника»,«Физические основы проектирования и технологии РЭА и ЭВА» стали настольными книгами для специалистов, преподавателей, аспирантов и студентов .
Тысячи выпускников МИЭМ с благодарностью вспоминают о своем учителе – Георгии Ивановиче Епифанове.