• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство
и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович
Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич
Заместитель директора Романов Виктор Владимирович
Заместитель директора Костинский Александр Юльевич
Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна
Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович
Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
60/10/3
60 бюджетных мест
10 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
126/40/15
126 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/20/10
45 бюджетных мест
20 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
40/45/5
40 бюджетных мест
45 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
87/40/6
87 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/5/2
50 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/1
25 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/5
20 бюджетных мест
5 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Статья
Influence of the random walk finite step on the first-passage probability

Klimenkova O., Menshutin A., Shchur L.

Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 955. No. 012009. P. 1-6.

Глава в книге
Investigation and development of the intelligent voice assistant for the Internet of Things using machine learning

Rolich A., Polyakov E. V., Voskov L. et al.

In bk.: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M.: IEEE, 2018. P. 1-5.

Препринт
On properties of the Wang-Landau algorithm

Shchur L.

math. arxive. Cornell University, 2018. No. 1808.09251.

“Не бойтесь слова “аспирантура”!”

Продолжаем серию статей об аспирантской школе по техническим наукам. Сегодня наш герой — Мамед Исмаил-Заде, ещё один выпускник 2019-го года

Мамед родился и вырос в Ташкенте, поэтому поступал в магистратуру и аспирантуру Вышки в 2013 году как иностранный студент. С тех пор его жизнь тесно связана с МИЭМ НИУ ВШЭ.

Санкт-Петербург, ЧМ-2018
Санкт-Петербург, ЧМ-2018

Почему вы решили продолжить свой академический путь после окончания бакалавриата?

После окончания Ташкентского государственного технического университета (ТашГТУ) мне необходимо было отработать три года в госучреждении, чтобы получить диплом. Пройти через это должны были все, кто обучался на бюджетной основе в вузе. Я решил остаться на своей кафедре - приборостроения - факультета электроники и автоматики. Работал сначала инженером, потом ассистентом. Проводил практические занятия, иногда замещал лектора по дисциплинам электронного профиля. Одним словом, с преподавательской деятельностью я познакомился именно там, мне понравилось. Решил идти дальше.

 

А как вы оказались в Вышке?

Впервые о Вышке я услышал от своего товарища в 2012-ом году, он же рассказал, что Вышка проводит олимпиады в странах Балтии и СНГ с целью привлечения студентов на программы магистратуры. Почитал про этот вуз и решил попробовать свои силы. Выбрал программу МИЭМа "Инжиниринг в электронике". Зимой 2013-го года я принял участие в олимпиаде, которая проходила в Ташкенте. По итогам олимпиады не хватило 2 баллов до призового места. Однако, летом проходил квотный отбор в виде собеседования с желающими поступить в магистратуру. По результатам собеседования я был рекомендован к зачислению на бюджетное место. И вот в сентябре 2013 началось мое обучение в Вышке.

Учеба в магистратуре была интересной. Новые друзья и знакомые, новые впечатления, новые возможности — всё это я получил, поступив в Вышку.

Исмаил-Заде Мамед Рашидович
Департамент электронной инженерии: Ассистент

Я был добросовестным и ответственным студентом, в конце 1-го года обучения в магистратуре за особые достижения в научно-исследовательской деятельности получал ПГАС. Не раз привлекался в качестве учебного ассистента, что позволило мне применить свой "ташкентский" опыт преподавания в московском вузе.

 

Кажется, аспирантура была неизбежна! Но все же: почему решили поступать? Как прошли ваши аспирантские годы?

Я поступал, чтобы продолжить заниматься научно-исследовательской деятельностью и получить от этого стоящий результат. В область моих интересов входят схемотехнические САПР, моделирование изделий микро- и наноэлектроники, системы на кристалле, твердотельная электроника и полупроводниковые компоненты. В качестве своего научного руководителя я выбрал ординарного профессора НИУ ВШЭ Петросянца Константина Орестовича. С ним мы определили тему моей научно-исследовательской работы.

Для меня обучение в аспирантуре с 2015-го по 2019-го года прошло незаметно. Эти четыре года пролетели как одно мгновение. Наверняка это связано с тем, что в процессе обучения ты становишься очень активным, участвуешь в различных научных мероприятиях, конференциях, семинарах, занимаешься публикационной активностью. Помимо работы над диссертацией я занимался и педагогической деятельностью, но уже в качестве штатного сотрудника НИУ ВШЭ.  Сейчас аспирантура позади: диплом об окончании нам вручили 1-го ноября. Кандидатскую диссертацию я еще не защитил, планирую устранить этот пробел в течение года со дня получения диплома.

Вручение диплома преподавателя-исследователя
Вручение диплома преподавателя-исследователя

Не могли бы вы кратко рассказать про свою диссертацию?

Тема моей научно-исследовательской работы - «Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов с учетом тепловых эффектов»*. Она посвящена разработке новых или совершенствованию существующих схемотехнических моделей MOSFET и JFET-транзисторов для расчета электронных схем с учётом воздействия широкого диапазона температуры (–200…+300°С).

Для чего это нужно? Известно, что схемотехническое моделирование электронных схем позволяет в определенной степени заменить сложные и дорогостоящие испытания изделий с учетом воздействия фактора температуры на компьютерный эксперимент. Чтобы такая замена была корректной, используемые SPICE-модели компонентов этих изделий должны правильно отражать изменение электрических характеристик при воздействии на них расширенного диапазона температуры. В современных САПР схемотехнического моделирования, например NI Multisim, OrCAD, SystemVision, LTSpice и др., уже встроены библиотеки стандартных SPICE-моделей компонентов. Однако их температурный диапазон ограничен –60…+125°С, и, следовательно, эти модели не применимы при проектировании изделий для высокотемпературной (до +300°С) и криогенной (до –200°С) электроники. Поэтому возникает необходимость создания специальных SPICE-моделей компонентов, учитывающих экстремальные условия окружающей среды.

 

Интересная тема! А какова роль научного руководителя в жизни аспиранта? Как выбирали своего?

Научный руководитель играет большую роль в становлении аспиранта как научного работника, выступая в роли наставника. Поэтому выбор научного руководителя – это непростая задача, и стоит отнестись к ней со всей серьезностью и ответственностью, поскольку от ее решения зависит не только написание качественной диссертации, но и ее успешная защита.

При поступлении в аспирантуру в качестве научного руководителя я рассматривал двух профессоров НИУ ВШЭ, которые проводили нам занятия в магистратуре - Константина Орестовича Петросянца и Сайгида Увайсовича Увайсова. Они являются профессионалами и знатоками в своих областях и имеют большой опыт руководства аспирантами. К тому же, во время обучения в магистратуре мне удалось не раз понаблюдать со стороны как они взаимодействуют и руководят своими аспирантами. Конечно, у каждого были свой подход и своя методика руководства.

Я прошел собеседование с каждым из них, где изъявил желание продолжить обучение в аспирантуре. На основе моих интересов, а также моих тем МКР и ВКР, со стороны руководителей были предложены направления, которые можно исследовать и развивать.

Я пообщался с аспирантами, которыми они руководили на тот момент, чтобы разузнать как проходит их научно-исследовательская деятельность и как в этом им помогают руководители. На основе собеседования с руководителями и их аспирантами, а также на основе личных убеждений мой выбор пал на Константина Орестовича.

Мои личные убеждения о том, каким должен быть научный руководитель заключается в следующем:

1) научный руководитель должен иметь глубокие научные знания по специальности, обладать богатым опытом научной работы, ее организации;

2) у научного руководителя должны быть время, возможность и интерес к аспиранту и его диссертационной работе.

2019 год. Школа молодых ученых. Крым.
2019 год. Школа молодых ученых. Крым.

Когда аспирантура позади, хотите преподавать дальше?

Как я уже говорил выше, с преподавательской деятельностью познакомился еще в Ташкенте, когда "отрабатывал" свой бакалаврский диплом. Тогда, помню, некоторые студенты подходили и говорили: “Вам не очень идет роль преподавателя, так как вы слишком спокойный и добрый, и студенты будут садиться вам на шею. А с нами нужно быть построже и применять метод "кнута и пряника", причем кнута должно быть побольше”. Однако в Вышке, и в МИЭМе в частности, я увидел совсем иную отдачу от студентов.

Здесь заставлять не нужно, студенты сознательно и добросовестно выполняют необходимые задачи. Главное - быть с ними открытым, человечным и всегда идти навстречу в плане разъяснения непонятных вопросов.

Исмаил-Заде Мамед Рашидович
Департамент электронной инженерии: Ассистент

Поэтому - да, преподавать мне нравится в МИЭМе, так как по отношению к студентам я остаюсь самим собой и получаю соответствующую отдачу от них.

 

Какой совет дадите нынешним студентам бакалавриата(специалитета)?

Не бойтесь слова «аспирантура». Это полноценное самостоятельное обучение, которое погружает вас в интересный мир науки с возможностью использовать ресурсы не только университета, но и различных научных фондов.

 

*Аббревиатуры:

MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором (МОП – транзистор).

JFET (junction field-effect transistor) – полевой транзистор с управляющим PN-переходом.

SPICE-модель – математическая модель электронного компонента, используемая в схемотехническом симуляторе электронных схем.