Международная конференция по ядерной физике и радиационной физике материалов

С 17 по 20 июня 2019г. в столице Армении городе Ереване на базе Ереванского государственного университета проводилась Международная конференция по ядерной физике и радиационной физике материалов (International Conference on Nuclear and Radiation Physics of Materials, NRPM 2019).

Организаторы конференции – Национальная научная лаборатория им. А. Алиханяна (Ереванский Институт физики), Нотрдамский университет (США, штат Индиана), Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Российская Федерация), Министерство науки и образования Армении. Председатель Оргкомитета – Ани Абрамян (Нотрдамский университет, США), заместитель председателя Оргкомитета – ординарный профессор НИУ ВШЭ д.ф.-м.н. Геннадий Бондаренко. В конференции приняли участие более 150 специалистов из США, России, Армении, Великобритании, Германии, Польши, ЮАР, Израиля, Тайваня, Румынии, Грузии, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана.

На конференции обсуждались вопросы, связанные с актуальными проблемами ядерной и радиационной физики, а также радиационного материаловедения: закономерности и механизмы протекания ядерных реакций, в частности, трансмутационных реакций с образованием трансурановых элементов, радиоактивные превращения ядер, производство и применение радиоактивных изотопов, сильные и слабые взаимодействия нуклонов, исследование мезонных и барионных резонансных состояний, физика нейтрино, проблемы нейтринной астрофизики, исследование первичных космических лучей и образование вторичного излучения, влияние на космические лучи межпланетной и межзвездной среды и магнитных полей, теоретические и экспериментальные  исследования элементарных частиц, результаты радиобиологических исследований с использованием синхротронного излучения, теория радиационного дефектообразования в кристаллических материалах, поведение материалов ядерных реакторов в эксплуатационных условиях, исследование процесса люминесценции в облученных высокоэнергетическими электронами (с энергией более 50 МэВ) гранатах, нейтронное легирование полупроводников, применение мощных ускорителей частиц (синхротронов, циклотронов, микротронов и др.) для научных исследований и технологических приложений и др.

С пленарным докладом на конференции выступил д.ф.-м.н., проф. Г.Г. Бондаренко. В докладе было рассмотрено современное состояние радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения, подробно освещены закономерности радиационно-индуцированных и радиационно-стимулированных процессов, протекающих в облученных твердых телах, таких как образование первичных структурных дефектов и их эволюция, структурно-фазовые превращения в сплавах, распухание и радиационное охрупчивание реакторных материалов, ионное распыление, радиационный блистеринг, воздействие мощных потоков высокотемпературной плазмы на кандидатные материалы для термоядерной энергетики. Особое внимание было уделено созданию и перспективам использования малоактивируемых реакторных материалов, а также технологическим применениям радиационной обработки и модифицирования твердых тел.

Постерный доклад «Pulsed helium ion and plasma streams impact on monocrystalline silicon» («Воздействие импульсных ионных и плазменных потоков гелия на монокристаллический кремний») представил на конференции аспирант 1-го года обучения МИЭМ НИУ ВШЭ Никита Епифанов (научный руководитель – проф. Бондаренко Г.Г.). В данной работе исследована повреждаемость монокристаллического кремния, выращенного в направлении [111] мощными импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы, создаваемыми в установке «Плазменный фокус «Вихрь». Показано, что импульсное облучение кремния при плотностях мощности излучения   q ≈10⁶-10⁷ Вт/см² приводит к распылению и образованию волнообразного рельефа поверхности. Более интенсивное облучение (10⁸ < q≤ 10¹¹ Вт/см²) приводит к сильной эрозии поверхности вследствие процессов блистеринга (образования вздутий и пузырей) и флекинга (отшелушивания слоев материала). При больших дозах и повышенной температуре (Т = 0,3 Т_пл) эрозия поверхности носит характер послойного разрушения материала. Выполнены численные расчеты распределения температуры в мишени, а также давления ударной волны, генерируемой в объеме кремния при двух жестких режимах облучения: q = 10 ГВт/см² и q = 100 ГВт/см² и длительности ионного импульса τ = 20 нс. Также проведено исследование влияние облучения на электросопротивление кремния. Обнаружено, что удельное сопротивление полупроводникового монокристалла  возрастает в результате облучения на 60%. Анализ привел к выводу, что данный результат связан с генерацией радиационных дефектов в монокристалле при воздействии мощных импульсных потоков ионов гелия и гелиевой плазмы.

Доклады вызвали большой интерес у участников конференции, было задано много вопросов; доклады получили высокую оценку слушателей.

Конференция отличалась актуальностью работ и высоким уровнем организации мероприятий. Участники конференции посетили Международный Центр синхротронного излучения CANDLE и Национальную научную лабораторию им. А. Алиханяна. Представленные доклады вошли в сборник трудов конференции.