Актуальные проблемы спецстойкой электроники

С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019».  Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.

В рамках конференции прошли пленарные заседания, секции, посвященные наиболее актуальным проблемам спецстойкой электроники, дискуссии о перспективах развития микроэлектроники на отечественных предприятиях. Рост числа участников и докладов составил 2 раза за последние два года.

Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ прислал на конференцию два доклада:

1. Отечественная библиотека МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры. Авторы: К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, М.Р. Исмаил-Заде.
2. Учет эффектов малой мощности дозы при моделировании работы МОП схем. Авторы: К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.В. Попов (НИЯУ МИФИ), Н.А. Куликов (НИЯУ МИФИ).

Оба доклада представил профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Харитонов И.А. Доклады вызвали живой интерес у присутствующих