• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, д.34
Телефон: 8(495)916-88-29
Факс: 8(495)916-88-29
Эл. почта: miem@hse.ru

     
Руководство

и.о. директора, научный руководитель Крук Евгений Аврамович

Заместитель директора Абрамешин Андрей Евгеньевич

Заместитель директора Романов Виктор Владимирович

Заместитель директора Костинский Александр Юльевич

Заместитель директора Прохорова Вероника Борисовна

Заместитель директора по учебной работе Тумковский Сергей Ростиславович

Заместитель директора по научной работе Аксенов Сергей Алексеевич

Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
50/10/5
50 бюджетных мест
10 платных мест
5 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информатика и вычислительная техника

4 года
Очная форма обучения
100/40/15
100 бюджетных мест
40 платных мест
15 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
30/20
30 бюджетных мест
20 платных мест
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Программа специалитета

Компьютерная безопасность

5,5 лет
Очная форма обучения
30/45/1
30 бюджетных мест
45 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Бакалаврская программа

Прикладная математика

4 года
Очная форма обучения
80/40/6
80 бюджетных мест
40 платных мест
6 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
30/5/2
30 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Интернет вещей и киберфизические системы

2 года
Очная форма обучения
20/5/2
20 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Компьютерные системы и сети

2 года
Очная форма обучения
50/15/2
50 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Математические методы моделирования и компьютерные технологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/3
20 бюджетных мест
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/10/2
20 бюджетных мест
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Системы управления и обработки информации в инженерии

2 года
Очная форма обучения
25/5/2
25 бюджетных мест
5 платных мест
2 платных места для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии

2 года
Очная форма обучения
20/5/4
20 бюджетных мест
5 платных мест
4 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках

Компьютерное моделирование динамики вихревых структур в испаряющейся капле

5 сентября 2018 года в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел первый в этом учебном году научно-исследовательский семинар «Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии, или Вычислительные среды». Докладчик Лев Юрьевич Бараш, к. ф.-м. н., доцент МИЭМ НИУ ВШЭ, научный cотрудник Института теоретической физики им. Л.Д. Ландау, рассказал о явлениях, происходящих при испарении капель жидкостей и коллоидных растворов.

Исследование испаряющихся капель жидкостей и коллоидных растворов важно для ряда приложений. Понимание этих явлений необходимо, например, при изготовлении наноматериалов, проведении биохимических исследований биологических жидкостей, в методах кристаллографии протеинов, в струйной печати, и ряде других направлений. Особый интерес представляет исследование образования наноструктур при испарении капель, содержащих коллоидный раствор наночастиц. 

В докладе представлен развитый подход к компьютерному моделированию динамики вихревых структур в испаряющейся капле вследствие действия сил Марангони на поверхности капли, и к описанию процесса испарения, который позволяет совместно учесть гидродинамические движения в испаряющейся капле, неоднородное распределение температур, а также диффузию пара в воздухе и динамику формы поверхности капли. 

Найдены несколько стадий динамики конвекции Бенарда-Марангони, характеризующихся числом вихрей в капле и их пространственным расположением в ней. На ранней стадии образуется дорожка приповерхностных вихрей, которая индуцирует немонотонное пространственное распределение температуры вдоль поверхности капли. Также, проведен учет отклонения формы лежащей капли от сферической формы, а также нестационарных эффектов в диффузии пара. Проведено сравнение компьютерного моделирования с рядом экспериментальных измерений. 

Показано, что конвекция Марангони, индуцируемая неоднородным распределением температуры в капле и в подложке, может привести к разному количеству, ориентации и пространственному положению вихрей в капле, в зависимости от теплопроводности и от толщины подложки, от контактного угла, а также от параметров жидкости. Представлена и проанализирована «фазовая диаграмма» на плоскости контактный угол – отношение теплопроводностей подложки и жидкости, содержащая информацию о количестве, ориентации и пространственном положении вихрей. Полученные результаты показывают, что конвекция жидкости в испаряющейся капле может контролироваться при помощи выбора подложки с подходящими свойствами.

Желающим подробнее ознакомиться со слайдами прошедшего семинара, а также узнать темы будущих и предыдущих докладов, приглашаем посетить страницу семинара.