Международная конференция по квантовым материалам и технологиям (ICQMT-2025)

А.С. Васенко представил доклад, посвящённый влиянию дефектов Шоттки на эффективность перовскитных солнечных элементов на основе CH₃NH₃PbI₃ на Международной конференции по квантовым материалам и технологиям (ICQMT-2025), прошедшей с 26 апреля по 3 мая в Фетхие-Олюденизе (Турция)

 

 

Исследование показало, что такие дефекты Шоттки, как вакасии PbI₂ и MAI (где MA - CH₃NH₃⁺), несмотря на значительные искажения кристаллической решетки, не создают ловушек для носителей заряда и не влияют на ширину запрещённой зоны перовскита. Напротив, они способствуют локализации дырок и уменьшению перекрытия волновых функций электронов и дырок, что снижает вероятность электрон-дырочной рекомбинации и увеличивает время жизни носителей заряда более чем в два раза.

 

Результаты, полученные с использованием моделирования на основе неадиабатической динамики (NAMD) и TD-DFT, указывают, что наличие вакансий PbI₂ и MAI продлевает время жизни электрон-дырочной пары до 2.1 и 2.6 нс соответственно, по сравнению с 1.0 нс у идеального кристалла, что позволяет провести более эффективное разделение зарядов в солнечном элементе. Это открытие подчёркивает важность комплексного подхода к изучению дефектов и может сыграть важную роль в дальнейшем повышении эффективности перовскитных солнечных элементов.