Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M.
Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6.
Yelizarov (Elizarov) A. A., Kuznetzov A., Nazarov I. et al.
In bk.: 2020 Systems of signals generating and processing in the field of on board communications. IEEE, 2020. P. 1-4.
A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.
Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M. V. et al.
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2020. P. 1-16.
W. Y. Córdoba-Camacho, da Silva R. M., A.A. Shanenko et al.
Journal of Physics: Condensed Matter. 2020. Vol. 32. No. 075403. P. 1-8.
Задача семинара – анализ современного состояния разработки, изготовления, испытаний и применения отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, выбор приоритетных направлений развития ЭКБ и постановка новых задач. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий радиоэлектронной промышленности России и Республики Беларусь, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность разрабатываемой и производимой радиоэлектронной аппаратуры.
С докладом профессоров Петросянца К.О., Харитонова И.А., доцента Самбурского Л.М., аспиранта Исмаил-Заде М.Р. «Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300оС», подготовленным совместно с коллегами из АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" Стахиным В.Г. и Лебедевым С.В., выступил профессор департамента Харитонов И.А.
Семинар проходил в СОК «Сережа» в Вадском районе Нижегородской области.