Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Под науч. редакцией: С. У. Увайсов
Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024.
Мельман А. С., Евсютин О. О., Сенюкова О. Е.
Компьютерная оптика. 2025. Т. 49. № 2. С. 273-281.
В кн.: СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-24) Сборник тезисов III Всероссийской молодежной школы-конференции, посвященной 70-летию со дня рождения профессора Р.М. Асадуллина.. Уфа: Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, 2024. С. 85-87.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
Задача семинара – анализ современного состояния разработки, изготовления, испытаний и применения отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, выбор приоритетных направлений развития ЭКБ и постановка новых задач. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий радиоэлектронной промышленности России и Республики Беларусь, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность разрабатываемой и производимой радиоэлектронной аппаратуры.
С докладом профессоров Петросянца К.О., Харитонова И.А., доцента Самбурского Л.М., аспиранта Исмаил-Заде М.Р. «Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300оС», подготовленным совместно с коллегами из АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" Стахиным В.Г. и Лебедевым С.В., выступил профессор департамента Харитонов И.А.
Семинар проходил в СОК «Сережа» в Вадском районе Нижегородской области.