Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Под науч. редакцией: С. У. Увайсов
Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024.
Vlasov V. I., Kuzin A., Florya I. et al.
Journal of Energy Storage. 2025. Vol. 111.
Gabdrahmanov R., Tsoy T., Bai Y. et al.
In bk.: 19th International Conference on Informatics in Control, Automation and Robotics (ICINCO 2022). SciTePress, 2024. Ch. n/a. P. 565-572.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
Задача семинара – анализ современного состояния разработки, изготовления, испытаний и применения отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, выбор приоритетных направлений развития ЭКБ и постановка новых задач. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий радиоэлектронной промышленности России и Республики Беларусь, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность разрабатываемой и производимой радиоэлектронной аппаратуры.
С докладом профессоров Петросянца К.О., Харитонова И.А., доцента Самбурского Л.М., аспиранта Исмаил-Заде М.Р. «Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300оС», подготовленным совместно с коллегами из АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" Стахиным В.Г. и Лебедевым С.В., выступил профессор департамента Харитонов И.А.
Семинар проходил в СОК «Сережа» в Вадском районе Нижегородской области.