Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
United States of America: IEEE, 2025.
Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др.
Перспективные материалы. 2025. № 5. С. 17-23.
In bk.: Proceedings of the 2025 7th International Youth Conference on Radio Electronics, Electrical and Power Engineering (REEPE). United States of America: IEEE, 2025. Ch. 259. P. 1-5.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
Задача семинара – анализ современного состояния разработки, изготовления, испытаний и применения отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, выбор приоритетных направлений развития ЭКБ и постановка новых задач. В устных и стендовых докладах были рассмотрены результаты деятельности ведущих предприятий радиоэлектронной промышленности России и Республики Беларусь, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность разрабатываемой и производимой радиоэлектронной аппаратуры.
С докладом профессоров Петросянца К.О., Харитонова И.А., доцента Самбурского Л.М., аспиранта Исмаил-Заде М.Р. «Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300оС», подготовленным совместно с коллегами из АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" Стахиным В.Г. и Лебедевым С.В., выступил профессор департамента Харитонов И.А.
Семинар проходил в СОК «Сережа» в Вадском районе Нижегородской области.