• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Статья
Compact Log-Periodic Single-Port Planar Antennas for D-Band Monolithic RIS Panels

Lvov A., Shurakov A., Belikov I. et al.

IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters. 2024. Vol. 24. No. 1. P. 88-92.

Глава в книге
Experimental Studies of Laboratory Samples of Fiber-Optic Sensors within Reinforced Concrete Building Construction. Part 1: Overview

Stukach O.

In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-4.

Препринт
Intensity correlations in decoy-state BB84 quantum key distribution systems
В печати

Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.

quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

Участие в международной конференции "Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях"

С 22 по 26 июня 2015 под Новосибирском прошла представительная международная конференция "Мезоскопические структуры в фундаментальных и прикладных исследованиях".

Мероприятие организовалось при участии Министерства образования и науки РФ, Новосибирского государственного технического университета и Российским Фондом фундаментальных исследований.
Международным программным комитетом из большого количества заявок на участие было отобрано 38 докладов российских и зарубежных ученых для представления на конференции. С приглашенным докладом, открывающим этот представительный форум, выступил профессор Департамента электронной инженерии НИУ ВШЭ, д. ф.-м.н. К. Ю. Арутюнов.  Тема его выступления "Квантовые флуктуации в низкоразмерных сверхпроводниках" - вызвала большой интерес слушателей будучи исключительно актуальной для развития наноэлектронных устройств нового поколения.