• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Департамент электронной инженерии: Заместитель руководителя департамента Селиверстова Людмила Петровна
Глава в книге
Prospects for Applications of Small-Sized Antennas on Flexible Substrates

Yelizarov (Elizarov) A. A., Kuznetzov A., Nazarov I. et al.

In bk.: 2020 Systems of signals generating and processing in the field of on board communications. IEEE, 2020. P. 1-4.

Статья
Electron Transport in Polyethyleneterephthalate

A.P.Tyutnev, V.S. Saenko, A.D. Zhadov et al.

Polymer Science - Series A. 2020. Vol. 62. No. 3. P. 300-306.

Статья
SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C)

Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M. V. et al.

IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2020. P. 1-16.

Статья
Spontaneous pattern formation in superconducting films

W. Y. Córdoba-Camacho, da Silva R. M., A.A. Shanenko et al.

Journal of Physics: Condensed Matter. 2020. Vol. 32. No. 075403. P. 1-8.

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).

В конференции приняли участие специалисты из 10 стран, в т.ч. Германии, Италии, Японии, Тайваня, Китая, России, Индии и др. От России был представлен доклад сотрудников кафедры «Электроника и наноэлектроника» МИЭМ НИУ ВШЭ проф. К.О. Петросянца, проф. И.А. Харитонова и старшего преподавателя Л.М. Самбурского.