Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Манохин А. И., Полесский С. Н.
Издательство ПетрГУ, 2024.
Kovaleva N. N., Chvostova D., Muratov A. V. et al.
Applied Physics Letters. 2024. Vol. 125. No. 26. P. 1-7.
Милютин Д. П., Пугач Н. Г.
В кн.: Тезисы докладов ХV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящённой 300–летию Российской академии наук (г. Уфа, 6–9 октября 2024 г.). Уфа: РИЦ УУНиТ, 2024. С. 138-139.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
16 октября 2024 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом по теме "Терагерцовая микро- и наноэлектроника на основе A3B5, кремния и графена" выступил к.ф.-м.н.,
доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, с.н.с. Базовой кафедры квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел», доцент кафедры общей и экспериментальной физики МПГУ., с.н.с. лаборатории квантовых коммуникаций НИТУ МИСиС Александр Сергеевич Шураков.
Доклад был посвящен вопросам создания устройств терагерцовой микро- и наноэлектроники для практических применений: радиоастрономия, детекторы ЭМИ, разработка конструкций GaAs МИС и ФИС. В докладе рассматривались особенности проектирования и изготовления полу- и сверхпроводниковых устройств и систем для приема и обработки сигналов диапазона 100-300 ГГц и 3-10 ТГц, а также было приведено сравнение текущих достижений с мировым уровнем исследований и разработок.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессора НИУ ВШЭ Грачева Н.Н., доцента Кравченко Н.П., ст. преподавателя Преснякова С.А.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/1U5-xVdHCuwnPgFn1N0v31V4P9VbBPdpX/view
Файл презентации научно-методического семинара доступен по ссылке:
https://drive.google.com/file/d/1byJqG5jZPivxEq2HLJa--RmV2dS0gJHE/view