• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Статья
Electronic band structure vs intrinsic antisite doping in the MBE grown films MnTe.Bi(2-x)Te3(1-x/2) (0 < x < 2): Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies

Kovaleva N. N., Chvostova D., Muratov A. V. et al.

Applied Physics Letters. 2024. Vol. 125. No. 26. P. 1-7.

Глава в книге
Поведение функций Грина в гетероструктуре сверхпроводник-ферромагнетик при наличии спинового рассеяния
В печати

Милютин Д. П., Пугач Н. Г.

В кн.: Тезисы докладов ХV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящённой 300–летию Российской академии наук (г. Уфа, 6–9 октября 2024 г.). Уфа: РИЦ УУНиТ, 2024. С. 138-139.

Препринт
Intensity correlations in decoy-state BB84 quantum key distribution systems
В печати

Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.

quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

"Терагерцовая микро- и наноэлектроника на основе A3B5, кремния и графена"

16 октября 2024 г. состоялся научно-методический семинар Академического совета по научной работе департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. C докладом  по теме "Терагерцовая микро- и наноэлектроника на основе A3B5, кремния и графена" выступил к.ф.-м.н.,

доцент департамента электронной инженерии МИЭМ, с.н.с. Базовой кафедры квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»,  доцент кафедры общей и экспериментальной физики МПГУ., с.н.с. лаборатории квантовых коммуникаций НИТУ МИСиС Александр Сергеевич Шураков.

  

Доклад был посвящен вопросам создания устройств терагерцовой микро- и наноэлектроники для практических применений: радиоастрономия, детекторы ЭМИ, разработка конструкций GaAs МИС и ФИС. В докладе рассматривались особенности проектирования и изготовления полу- и сверхпроводниковых устройств и систем для приема и обработки сигналов диапазона 100-300 ГГц и 3-10 ТГц, а также было приведено сравнение текущих достижений с мировым уровнем исследований и разработок.

 

 

Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессора НИУ ВШЭ Грачева Н.Н., доцента Кравченко Н.П., ст. преподавателя Преснякова С.А.

 

Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке:https://drive.google.com/file/d/1U5-xVdHCuwnPgFn1N0v31V4P9VbBPdpX/view

 

Файл презентации научно-методического семинара доступен по ссылке:

https://drive.google.com/file/d/1byJqG5jZPivxEq2HLJa--RmV2dS0gJHE/view