Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Демишев С. В., Краснорусский В., Оськин А. и др.
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2025. Т. 121. № 2. С. 121-128.
Stukach O., Osovsky A., Kutuzov D. et al.
In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-6.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
21 мая 2024 г. (во вторник) в 14:00 на заседании департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ состоится предварительное обсуждение (предзащита) диссертации Харитонова Игоря Анатольевича на тему: «Методы и средства создания SPICE моделей активных компонентов ИС с учетом воздействия температуры, радиации и эффектов старения» на соискание учёной степени доктора технических наук:
Специальность: 2.2.2 -- Электронная компонентная база микро - и наноэлектроники, квантовых устройств.
Рецензенты:
1. д. ф-м. н., Бондаренко Геннадий Германович, профессор, профессор-исследователь ДЭИ МИЭМ НИУ ВШЭ;
2. д. т. н., Оболенский Сергей Владимирович, ведущий научный сотрудник, Филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова»,
3. д. т. н., Ульянов Сергей Леонидович, главный научный сотрудник отделения проблем проектирования в микроэлектронике НИЦ «Курчатовский институт»
Предзащита будет проходить в онлайн формате.
Ссылка для подключения к конференции: https://meet.miem.hse.ru/224.
Рабочий язык: русский