Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Под науч. редакцией: Е. А. Крук, С. А. Аксенов, К. Ю. Арутюнов и др.
М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024.
Samatov M., Liu D., Zhao L. et al.
The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024.
В кн.: Компьютерные технологии и анализ данных. Мн.: БГУ, 2024. С. 172-175.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2024. No. 2401.10777.
14 мая 2024 г. (во вторник)на заседании департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ состоится предварительное обсуждение (предзащита) двух диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук:
-- (в 14:00) Карабасова Тайржанана тему: «Исследование сверхпроводящего диодного эффекта в гибридных структурах сверхпроводник/топологический изолятор»
Специальность: 2.2.2 -- Электронная компонентная база микро - и наноэлектроники, квантовых устройств.
Научный руководитель: D. Hab. Васенко Андрей Сергеевич, профессор, ДЭИ МИЭМ НИУ ВШЭ.
Рецензенты:
1. д. ф.-м. н. Сидоренко Анатолий Сергеевич, профессор, академик Академии наук Молдовы, директор Института Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу,
2. д. т. н. Кленов Николай Викторович, профессор, к афедра атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники (Физический факультет) МГУ .
-- (в 16:00) Приходько Анатолия Николаевичана тему: «ТГц антенные решётки с использованием планарных диодов с барьером Шоттки».
Специальность: 2.2.2 -- Электронная компонентная база микро - и наноэлектроники, квантовых устройств.
Научный руководитель: д. ф.-м. н. Чулкова Галина Меркурьевна, профессор, ДЭИ МИЭМ НИУ ВШЭ.
Рецензенты:
1. к. ф.-м. н. Ковалюк Вадим Викторови, доцент, заведующий лабораторией фотонных газовых сенсоров НИТУ МИСИС,
2. к. ф.-м. н. Ожегов Роман Викторович, доцент, ДЭИ МИЭМ НИУ ВШЭ.
Предзащита будет проходить в онлайн формате.
Ссылка для подключения к конференции: https://meet.miem.hse.ru/224.
Рабочий язык: русский