Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Бондаренко Г. Г., Кабанова Т. А., Рыбалко В. В.
М.: Юрайт, 2024.
Скуридин А. А., Елизаров А. А., Закирова Э. А. и др.
Медицинская физика. 2024. № 1. С. 53-62.
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov.
In bk.: Theory and Applications of Engineering Research Vol. 3. Vol. 3: Theory and Applications of Engineering Research. Kolkata: B P International, 2024. Ch. 6. P. 120-156.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
В докладе был дан обзор получения металлических нанопроволок, исследования их свойств и структур, приведены достижения Института кристаллографии им. Шубникова в исследовании данной проблемы. Сделан акцент на применение нанопроволок:
· микромагниты, магнитная печать;
· слоевые- элементы спинтроники;
· магнитные жидкости и мультиферроики (НП в полимере);
Были показаны новые возможности металлических нанопроволок:
· ростовые установки-гальваника (литография);
· микроскопия- сканирующая электронная микроскопия, просвечивающая микроскопия (+элементный анализ);
· рентгеноструктурный анализ (+источник СИ-Курчатовский ин-т);
· зондовая микроскопия;
· Мёссбауэровская спектроскопия.
В заключении доклада автор поделился идеями сотрудничества Института кристаллографии им. Шубникова со студентами и сотрудниками НИУ ВШЭ.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ К.Ю. Арутюнова, Г.Г. Бондаренко, А.Р. Тамеева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1LtPZH-UWhFWcw_az0C7MAl2U92gCBAFd/view?usp=sharing (для просмотра требуется разрешить файлы cookie).