Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Под науч. редакцией: С. У. Увайсов
Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024.
Демишев С. В., Краснорусский В., Оськин А. и др.
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2025. Т. 121. № 2. С. 121-128.
Уткин М. В., Грачев Н. Н., Уткин Б. В. и др.
В кн.: Инновационные, информационные и коммуникационные технологии. Сборник трудов XХ Международной научно-практической конференции. Москва, 2023. Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2024. С. 237-242.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
В докладе был дан обзор получения металлических нанопроволок, исследования их свойств и структур, приведены достижения Института кристаллографии им. Шубникова в исследовании данной проблемы. Сделан акцент на применение нанопроволок:
· микромагниты, магнитная печать;
· слоевые- элементы спинтроники;
· магнитные жидкости и мультиферроики (НП в полимере);
Были показаны новые возможности металлических нанопроволок:
· ростовые установки-гальваника (литография);
· микроскопия- сканирующая электронная микроскопия, просвечивающая микроскопия (+элементный анализ);
· рентгеноструктурный анализ (+источник СИ-Курчатовский ин-т);
· зондовая микроскопия;
· Мёссбауэровская спектроскопия.
В заключении доклада автор поделился идеями сотрудничества Института кристаллографии им. Шубникова со студентами и сотрудниками НИУ ВШЭ.
Доклад вызвал оживлённую дискуссию с участием профессоров НИУ ВШЭ К.Ю. Арутюнова, Г.Г. Бондаренко, А.Р. Тамеева.
Файл записи научно-методического семинара доступен по ссылке: https://drive.google.com/file/d/1LtPZH-UWhFWcw_az0C7MAl2U92gCBAFd/view?usp=sharing (для просмотра требуется разрешить файлы cookie).