Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Под науч. редакцией: Е. А. Крук, С. А. Аксенов, К. Ю. Арутюнов и др.
М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024.
Успехи физических наук. 2024. Т. 194. № 1. С. 60-76.
Александров М. С., Каширин И. А., Мельман А. С.
В кн.: Материалы XIV международной молодежной научно-практической конференции с элементами научной школы "Прикладная математика и фундаментальная информатика". Омск: Омский государственный технический университет, 2024. С. 61-62.
Сергеев А. В., Минченков В. О., Солдатов А. В. и др.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2024. № 2411.10150.
С докладом «Оптическая спиновая накачка в двумерных материалах» выступит стажер ДЭИ МИЭМ Туркин Ярослав Вячеславович.
Доклад посвящен теоретическому моделированию динамики неравновесных спиновых оптических токов в двумерных материалах, находящихся под воздействием быстрых лазерных импульсов. В качестве основного метода моделирования используется метод неравновесных функций Грина, который позволяет учитывать не только динамику заселенностей, но и изменение спектра квазичастиц. Будет рассмотрен процесс спиновой накачки одиночного слоя дисульфида молибдена линейно-поляризованным фемтосекундным лазерным импульсом и возникновение оптически-индуцированных спиновых токов в дисульфиде молибдена и графене, связанных эффектом близости с ферромагнитным изолятором. Также будет продемонстрировано возникновение оптически индуцированных спиновых вращательных моментов в гибридных структурах типа двумерный материал/магнитный изолятор.
Модератор: Пугач Наталия Григорьевна, доцент МИЭМ.
Дата и время проведения: 20 мая в 15.00.
Место проведения: Таллинская ул. 34, ауд. 305.
Язык мероприятия - русский.
Приглашаются преподаватели и сотрудники, а также студенты и аспиранты.