Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Kugel K., Kagan M., Rakhmanov A. et al.
Vol. 201. Cham: Springer, 2024.
Lvov A., Shurakov A., Belikov I. et al.
IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters. 2024. Vol. 24. No. 1. P. 88-92.
In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-4.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
С докладом «Оптическая спиновая накачка в двумерных материалах» выступит стажер ДЭИ МИЭМ Туркин Ярослав Вячеславович.
Доклад посвящен теоретическому моделированию динамики неравновесных спиновых оптических токов в двумерных материалах, находящихся под воздействием быстрых лазерных импульсов. В качестве основного метода моделирования используется метод неравновесных функций Грина, который позволяет учитывать не только динамику заселенностей, но и изменение спектра квазичастиц. Будет рассмотрен процесс спиновой накачки одиночного слоя дисульфида молибдена линейно-поляризованным фемтосекундным лазерным импульсом и возникновение оптически-индуцированных спиновых токов в дисульфиде молибдена и графене, связанных эффектом близости с ферромагнитным изолятором. Также будет продемонстрировано возникновение оптически индуцированных спиновых вращательных моментов в гибридных структурах типа двумерный материал/магнитный изолятор.
Модератор: Пугач Наталия Григорьевна, доцент МИЭМ.
Дата и время проведения: 20 мая в 15.00.
Место проведения: Таллинская ул. 34, ауд. 305.
Язык мероприятия - русский.
Приглашаются преподаватели и сотрудники, а также студенты и аспиранты.