Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Kumar S., Khandelwal M. K., Yelizarov (Elizarov) A. A. et al.
Physica Scripta. 2025. Vol. 100. No. 2. P. 1-12.
Stukach O., Osovsky A., Kutuzov D. et al.
In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-6.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
1. Теоретическое исследование явлений, связанных с эффектом близости в контакте сверхпроводника с необычными магнетиками
Докладчик: Яговцев Владимир Олегович
Научный руководитель: Пугач Наталия Григорьевна
В работе исследуются структуры со сверхпроводящими и ферромагнитными слоями, в которых в качестве ферромагнетиков используются нетипичные ферромагнетики, например, ферромагнетики со спиральной намагниченностью или ферромагнитные изоляторы. Основным изучаемым явлением является обратный эффект близости в структурах сверхпроводник-ферромагнетик или ферромагнитный изолятор. В частности, планируется провести расчет плотности состояний электронов и сверхпроводящего тока в структурах с данными слоями, например, в болометрах или спиновых вентилях. Кроме того, рассчитывается наведенная в сверхпроводнике в результате обратного эффекта близости намагниченность, предсказанная в работе Волкова, Бержере и Эфетова. Модель является аналитической, в основе лежит транспортное уравнение Узаделя c граничными условиями для сильно спин-поляризованных ферромагнетиков, записанное группой Эшрига. Актуальность работы связана с актуальностью исследования структур, в которых присутствуют изучаемые в работе бислои сверхпроводник-ферромагнетик. Как упоминалось ранее, это болометры и спиновые вентили. Болометры можно применять для изучения реликтового излучения, а спиновые вентили могут играть роль транзисторов в элементной базе сверхпроводящей спинтроники, которая в перспективе может использоваться для создания вычислительных машин на физических принципах, отличных от классической полупроводниковой электроники.
2. Разработка методики определения реологических характеристик сверхпластичных материалов
Докладчик: Захарьев Иван Юрьевич
Научный руководитель: Аксенов Сергей Алексеевич