Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Кузьминов Я. И., Симачев Ю. В., Кузык М. Г. и др.
М.: Издательский дом НИУ ВШЭ, 2024.
Makarov V., Abrikosov A., Chaiwongkhot P. et al.
Physical Review Applied. 2024. Vol. 22. No. 4. P. 044076-1-044076-34.
В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Москва, 2024. М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024. С. 221-222.
Kagan M., Silkin V., Efremov D.
math. arXiv. Cornell University, 2024. No. 2411.12836.
1. Теоретическое исследование явлений, связанных с эффектом близости в контакте сверхпроводника с необычными магнетиками
Докладчик: Яговцев Владимир Олегович
Научный руководитель: Пугач Наталия Григорьевна
В работе исследуются структуры со сверхпроводящими и ферромагнитными слоями, в которых в качестве ферромагнетиков используются нетипичные ферромагнетики, например, ферромагнетики со спиральной намагниченностью или ферромагнитные изоляторы. Основным изучаемым явлением является обратный эффект близости в структурах сверхпроводник-ферромагнетик или ферромагнитный изолятор. В частности, планируется провести расчет плотности состояний электронов и сверхпроводящего тока в структурах с данными слоями, например, в болометрах или спиновых вентилях. Кроме того, рассчитывается наведенная в сверхпроводнике в результате обратного эффекта близости намагниченность, предсказанная в работе Волкова, Бержере и Эфетова. Модель является аналитической, в основе лежит транспортное уравнение Узаделя c граничными условиями для сильно спин-поляризованных ферромагнетиков, записанное группой Эшрига. Актуальность работы связана с актуальностью исследования структур, в которых присутствуют изучаемые в работе бислои сверхпроводник-ферромагнетик. Как упоминалось ранее, это болометры и спиновые вентили. Болометры можно применять для изучения реликтового излучения, а спиновые вентили могут играть роль транзисторов в элементной базе сверхпроводящей спинтроники, которая в перспективе может использоваться для создания вычислительных машин на физических принципах, отличных от классической полупроводниковой электроники.
2. Разработка методики определения реологических характеристик сверхпластичных материалов
Докладчик: Захарьев Иван Юрьевич
Научный руководитель: Аксенов Сергей Алексеевич