Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Kharlamov A. A., Pantiukhin D., Borisov V. et al.
Newcastle upon Tyne: Cambridge Scholars Publishing, 2024.
Портной С. Л., Никитин С. Е., Волошин А. Д. и др.
Первая миля. 2024. № 1(117). С. 26-40.
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov.
In bk.: Theory and Applications of Engineering Research Vol. 3. Vol. 3: Theory and Applications of Engineering Research. Kolkata: B P International, 2024. Ch. 6. P. 120-156.
Дмитриев В., Каган М. Ю., Каменский В. и др.
Персоналии УФН. 01.60.+q. Физический Институт имени П.Н, Лебедева, 2023. № 8.
На семинаре были представлены доклады по материалам диссертационных исследований, выполняемых аспирантами МИЭМ. Научный руководитель - Гольцман Григорий Наумович, д.ф.-м.н., профессор.
1. Технология создания микрополосковых резонаторов на основе сверхтонких сверхпроводящих пленок
- Давыдченко Михаил Александрович
Представлены данные о полосе преобразования металлического болометра на основе пленки Nb, осажденной поверх Sp подложки, способного работать в широком диапазоне температур от 77 до 300 К. Выбор комбинации Nb/Sp, обусловлен хорошей теплопроводностью интерфейса пленка/подложка в этой паре и достаточным температурным коэффициентом сопротивления, который определяет чувствительность детектора.
2. Экспериментальное исследование зонной структуры одиночных углеродных нанотрубок в неравновесных системах
- Матюшкин Яков Евгеньевич
Представлены результаты последних экспериментов по взаимодействию одиночных углеродных нанотрубок с циркулярно поляризованным терагерцовым излучением. Существуют теоретические работы, в которых описывается резонансный фотоотклик, связанный с интерференцией плазменных волн в полевых транзисторах на основе графена. В проведенном эксперименте также наблюдалась интерференция плазменных волн в коммерчески доступном графене, но плазменные волны в нем быстро затухали, из-за чего детектор работал в нерезонансном режиме. Грубые оценки по модели Друде показывают, что время релаксации, а, следовательно, и длина затухания плазменных волн в одиночных трубках на порядок выше, чем в графене. Кроме того, существует множество работ, в которых демонстрируется фотоотклик в полевых транзисторах на основе углеродных нанотрубок. Вышеизложенное побудило нас исследовать фотоотклик полевых транзисторов на основе одиночных УНТ на циркулярно поляризованное ТГц излучение разной хиральности. Модель Качаровского предсказывает, что в транзисторных детекторах с асимметричной антенной фотоотклик на циркулярно поляризованное излучение разной хиральности должен сильно отличаться (вплоть до смены знака) при легировании канала транзистора электронами (это связано с интерференцией плазменных волн). Нам удалось экспериментально продемонстрировать этот эффект, потдвердить модель, и показать, что УНТ можно использовать для поляризационно- и фазо- чувствительного детектирования ТГц излучения.
3. Квантовая томография сверхпроводникового однофотонного детектора
- Полякова Маргарита Игоревна
Функциональность сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD) основана на локальном подавлении сверхпроводящего параметра порядка при поглощении фотонов, вызывая изменение сопротивления, которое может быть преобразовано в записываемый сигнал электрического напряжения. Горячие пятна, возникающие в результате поглощения фотонов, являются ключевым звеном в работе SSPD. В работе представлен протокол квантовой томографии детектора, позволяющий без неоднозначности измерить эффективность двухпятенного обнаружения и извлечь длину взаимодействия горячих пятен сверхпроводникового однофотонного детектора с внутренней эффективностью обнаружения, равной единице. Также идентифицируется значительный паразитный вклад в измеренную двухпятенную эффективность, связанный с эффектом схемы смещения, и показан способ исключения этого вклада во время постобработки данных и непосредственно в эксперименте.