Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov.
Vol. 3. Switzerland: Birkhauser/Springer, 2024.
Демишев С. В., Краснорусский В., Оськин А. и др.
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2025. Т. 121. № 2. С. 121-128.
Stukach O., Osovsky A., Kutuzov D. et al.
In bk.: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). IEEE, 2024. P. 1-6.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
В докладе была освещена предшествующая работа аспиранта по исследованию квантового размерного эффекта в висмуте: процесс изготовления образцов, теоретические расчёты и результаты, положившие начало научной теме в аспирантуре. Далее были рассмотрены уже существующие работы в области изменения критической температуры относительно размеров образцов, кристаллографический анализ плёнок алюминия, изготовленных разными способами и на разных подложках, полученные результаты измерений Тс данных образцов.
Представленные данные в работе демонстрируют (вразрез с распространённым мнением), что Тс изменяется с толщиной плёнок даже в плёнках, изготовленных самым качественным способом и имеющих наименьшую шероховатость поверхности. Было также продемонстрировано, что решающий вклад в такое поведение вносит квантовый размерный эффект.
Доклад аспиранта вызвал оживлённую дискуссию среди слушателей и множество вопросов к самому докладчику. Было отмечено, что аспирант выполнил поставленные перед ним задачи, у него имеется значительное количество публикаций. В настоящее время Седов Е.А. занимается оформлением диссертационной работы. В ходе активного обсуждения были намечены следующие шаги в экспериментальном и теоретическом изучении выбранной темы.Департамент электронной инженерии: Профессор