Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
65 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
5 платных мест
3 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
10 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
60 платных мест
10 платных мест для иностранцев
М.: АНО «Академия надёжности», 2023.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V.
Journal of Surface Investigation. 2023. Vol. 17. No. 1. P. 48-53.
В кн.: Фундаментальная математика и ее приложения в естествознании: спутник Международной научной конференции "Уфимская осенняя математическая школа-2022". Тезисы докладов ХIII Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, посвященной 50-летию образования математического и физического факультетов БашГУ. Уфа: РИЦ БашГУ, 2022. С. 150-150.
Pugach N., Safonchik M. O., Belotelov V. et al.
cond-mat, 2022. No. 2110.00369.
В докладе была освещена предшествующая работа аспиранта по исследованию квантового размерного эффекта в висмуте: процесс изготовления образцов, теоретические расчёты и результаты, положившие начало научной теме в аспирантуре. Далее были рассмотрены уже существующие работы в области изменения критической температуры относительно размеров образцов, кристаллографический анализ плёнок алюминия, изготовленных разными способами и на разных подложках, полученные результаты измерений Тс данных образцов.
Представленные данные в работе демонстрируют (вразрез с распространённым мнением), что Тс изменяется с толщиной плёнок даже в плёнках, изготовленных самым качественным способом и имеющих наименьшую шероховатость поверхности. Было также продемонстрировано, что решающий вклад в такое поведение вносит квантовый размерный эффект.
Доклад аспиранта вызвал оживлённую дискуссию среди слушателей и множество вопросов к самому докладчику. Было отмечено, что аспирант выполнил поставленные перед ним задачи, у него имеется значительное количество публикаций. В настоящее время Седов Е.А. занимается оформлением диссертационной работы. В ходе активного обсуждения были намечены следующие шаги в экспериментальном и теоретическом изучении выбранной темы.Департамент электронной инженерии: Профессор