Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Кузьминов Я. И., Симачев Ю. В., Кузык М. Г. и др.
М.: Издательский дом НИУ ВШЭ, 2024.
Gurskiy A. S., Arutyunov K. Yu., Shapovalov D. L.
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2024. Vol. 88. P. 809-814.
In bk.: 2024 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). Novosibirsk: IEEE, 2024. P. 47-51.
Kagan M., Silkin V., Efremov D.
math. arXiv. Cornell University, 2024. No. 2411.12836.
В докладе была освещена предшествующая работа аспиранта по исследованию квантового размерного эффекта в висмуте: процесс изготовления образцов, теоретические расчёты и результаты, положившие начало научной теме в аспирантуре. Далее были рассмотрены уже существующие работы в области изменения критической температуры относительно размеров образцов, кристаллографический анализ плёнок алюминия, изготовленных разными способами и на разных подложках, полученные результаты измерений Тс данных образцов.
Представленные данные в работе демонстрируют (вразрез с распространённым мнением), что Тс изменяется с толщиной плёнок даже в плёнках, изготовленных самым качественным способом и имеющих наименьшую шероховатость поверхности. Было также продемонстрировано, что решающий вклад в такое поведение вносит квантовый размерный эффект.
Доклад аспиранта вызвал оживлённую дискуссию среди слушателей и множество вопросов к самому докладчику. Было отмечено, что аспирант выполнил поставленные перед ним задачи, у него имеется значительное количество публикаций. В настоящее время Седов Е.А. занимается оформлением диссертационной работы. В ходе активного обсуждения были намечены следующие шаги в экспериментальном и теоретическом изучении выбранной темы.Департамент электронной инженерии: Профессор