Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Пестунова Т. М., Перов А. А.
М.: Русайнс, 2025.
Bondareva P., Shein K., Lyubchak A. N. et al.
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2. P. 61-65.
Perov G. A., Presnyakov S., Kasatkin A. et al.
In bk.: 2025 Systems of Signal Synchronization, Generating and Processing in Telecommunications (SYNCHROINFO). IEEE, 2025.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
VI Международный Форум «Микроэлектроника 2020» – крупное событие года в мире электронных технологий. Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 3 года превысил 90%. В 2020 г. в Форуме приняло участие более 1000 участников. Помимо этого, «Микроэлектроника 2020» продемонстрировала бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.
Цель прошедшего мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, радиоэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.
Данное событие явилось знаковым и долгожданным как для электронной, микроэлектронной, радиоэлектронной отраслей, так и для всего научного сообщества.
Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил два доклада:
1. Петросянц К.О., Российско-китайский проект в области TCAD-SPICE моделирования субмикронных элементов КМОП БИС с учетом радиационных и тепловых эффектов .
2. Харитонов И.А., Попов Д.А., Рахматуллин Б.А., Методика определения параметров SPICE моделей для анализа влияния ОЯЧ при масштабировании КМОП схем (доклад представил проф. И.А. Харитонов)
Доклады вызвали живой интерес у присутствующих.