Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
70 платных мест
5 платных мест для иностранцев
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Кофанов Ю. Н., Сотникова С. Ю.
М.: Грифон, 2025.
Zaman N., Li Y., Zheng T. et al.
Journal of Materials Chemistry A. 2026.
Гурский А. С., Арутюнов К. Ю., Шаповалов Д. Л. и др.
В кн.: Фундаментальная математика и ее приложения в естествознании: спутник Международной научной конференции «Уфимская осенняя математическая школа-2025»: тезисы докладов ХVI Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (г. Уфа, 6–9 октября 2025 г.). Уфа: Уфимский университет науки и технологий, 2025. С. 146-147.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
VI Международный Форум «Микроэлектроника 2020» – крупное событие года в мире электронных технологий. Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 3 года превысил 90%. В 2020 г. в Форуме приняло участие более 1000 участников. Помимо этого, «Микроэлектроника 2020» продемонстрировала бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.
Цель прошедшего мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, радиоэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.
Данное событие явилось знаковым и долгожданным как для электронной, микроэлектронной, радиоэлектронной отраслей, так и для всего научного сообщества.
Департамент электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил два доклада:
1. Петросянц К.О., Российско-китайский проект в области TCAD-SPICE моделирования субмикронных элементов КМОП БИС с учетом радиационных и тепловых эффектов .
2. Харитонов И.А., Попов Д.А., Рахматуллин Б.А., Методика определения параметров SPICE моделей для анализа влияния ОЯЧ при масштабировании КМОП схем (доклад представил проф. И.А. Харитонов)
Доклады вызвали живой интерес у присутствующих.