Специалисты МИЭМ приняли участие в V Международном форуме «Микроэлектроника 2019»

Нашими учеными, представляющими департамент электронной инженерии, были представлены несколько докладов.

С 30 сентября  по 5 октября 2019 в г. Алушта, Республика Крым, прошел V Международный форум «Микроэлектроника 2019» (http://microelectronica.pro). Форум организован ведущими институтами и дизайн-центрами страны: АО «НИИМА «Прогресс», АО НИИМЭ, НИУ МИЭТ, а также при поддержке ДРЭП Министерства промышленности и торговли РФ, госкорпорации «Ростех», АО «Росэлектроника», инновационного центра «Сколково», Союза машиностроителей России и федеральной программы «Работай в России!».

V Международный форум «Микроэлектроника 2019» – крупное событие года в мире электронных технологий. Площадка, задуманная как диалог между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, вызвала колоссальный интерес представителей всех отраслей промышленности. Рост участников и докладов за 2 года превысил 70%. В 2019 г.  в Форуме приняли участие  более 500 участников.      Цель прошедшего мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей; содействовать развитию отечественной микроэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.

Помимо этого, «Микроэлектроника 2019» продемонстрировала  бизнесу и научной среде возможности использования современных мировых технологий (пользовательских, коммерческих и специализированных), стимулирующих дальнейшее развитие отрасли.

Событие явилось знаковым и долгожданным как для микроэлектронной отрасли, так и для всего научного сообщества.

Департамент Электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ представил три доклада:

1. К.О. Петросянц., Унификация SPICE моделей электронных компонентов, учитывающих радиационные и тепловые эффекты .
2. К.О. Петросянц, А.А. Пугачев, И.А. Харитонов . Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели.
3. И.А. Харитонов  SPICE модели МОПТ, учитывающие эффекты старения.

Доклады  «Унификация SPICE моделей электронных компонентов, учитывающих радиационные и тепловые эффекты» и «Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели»представил  профессор Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Константин Петросянц.

Доклад «SPICE модели МОПТ, учитывающие эффекты старения»представил  профессор Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Игорь Харитонов.

Доклады вызвали живой интерес у присутствующих. Была обсуждены вопросы сотрудничества с ООО «ЭРЕМЕКС», разработчиком  Российской САПР электронных устройств (Delta Design).