Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
Пестунова Т. М., Перов А. А.
М.: Русайнс, 2025.
Zaikin A., Семенов А. Г., Латышев А.
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2025. Vol. 112.
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M.
In bk.: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025. IEEE, 2025. P. 1-4.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
Делегацию посольства КНР возглавлял Полномочный Министр, советник по делам образования Чжао Гочен. На состоявшейся встрече научный руководитель, директор МИЭМ НИУ ВШЭ Тихонов А.Н. сделал презентацию об образовательной и научной деятельности МИЭМ НИУ ВШЭ. Во встрече принимали участие: президент фонда развития культурных и образовательных связей России и КНР имени И.В. Архипова И.Б. Архипов, заместитель директора МИЭМ НИУ ВШЭ Тумковский С.Р., руководитель департамента прикладной математики МИЭМ НИУ ВШЭ, Белов А.В. и руководитель департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Львов Б.Г.
В ходе встречи достигнуты договоренности о развитии сотрудничества с университетами КНР в области образования и науки, взаимных обменов студентами, аспирантами и учеными.