Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Kharlamov A. A., Pantiukhin D., Borisov V. et al.
Newcastle upon Tyne: Cambridge Scholars Publishing, 2024.
Neurocomputing. 2024. Vol. 581.
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov.
In bk.: Theory and Applications of Engineering Research Vol. 3. Vol. 3: Theory and Applications of Engineering Research. Kolkata: B P International, 2024. Ch. 6. P. 120-156.
Дмитриев В., Каган М. Ю., Каменский В. и др.
Персоналии УФН. 01.60.+q. Физический Институт имени П.Н, Лебедева, 2023. № 8.
В конференции приняли участие около 100 специалистов из вузовских, академических и отраслевых России, Белоруссии, Казахстана, Польши, ЮАР, Узбекистана. На конференции обсуждались вопросы, посвященные процессам прохождения заряженных и нейтральных частиц, рентгеновского и гамма-излучений через вещество, электрон-атомным, атом-атомным, ион-атомным и др. столкновениям в твердых телах, ориентационным явлениям при взаимодействии высокоэнергетических частиц с твердым телом, радиационно-индуцированным и радиационно-стимулированным явлениям в твердых телах, влиянию радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влиянию факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологических методам модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, созданию и получению наноматериалов и экологически чистых материалов с низкой наведенной радиоактивностью.
На конференции с устными докладами выступили аспиранты департамента электронной инженерии НИУ ВШЭ Ерискин А.А. (доклады «Распределение дейтерия и водорода в Zr, Ni и Ti сборках фольг при воздействии импульсной дейтериевой высокотемпературной плазмы» и «Исследование распределения дейтерия и водорода в сборках Ta|CD2|Ta, Ta|Ta|CD2|Ta|Ta и Nb|CD2|Nb, после воздействия высокотемпературной плазмы аргона на установке ПФ-4») и Ромахин П.А. (доклад «Осаждение металлов и повреждаемость вольфрамовой мишени потоками ионов плазмы в установках Плазменный фокус»). Доклады вызвали большой интерес, было задано много вопросов.
Опубликованы труды конференции объемом 644 страниц.
Конференция предоставила прекрасную возможность обмена опытом и научными достижениями широкого круга ученых и специалистов, что, несомненно, послужит стимулом для дальнейшего развития теоретических и практических исследований в области радиационной физики твердого тела.