Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
80 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
70 платных мест
5 платных мест для иностранцев
80 бюджетных мест
1 государственная стипендия Правительства РФ для иностранцев
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Кофанов Ю. Н., Сотникова С. Ю.
М.: Грифон, 2025.
Zaman N., Li Y., Zheng T. et al.
Journal of Materials Chemistry A. 2026.
Гурский А. С., Арутюнов К. Ю., Шаповалов Д. Л. и др.
В кн.: Фундаментальная математика и ее приложения в естествознании: спутник Международной научной конференции «Уфимская осенняя математическая школа-2025»: тезисы докладов ХVI Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (г. Уфа, 6–9 октября 2025 г.). Уфа: Уфимский университет науки и технологий, 2025. С. 146-147.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
В конференции приняли участие около 100 специалистов из вузовских, академических и отраслевых России, Белоруссии, Казахстана, Польши, ЮАР, Узбекистана. На конференции обсуждались вопросы, посвященные процессам прохождения заряженных и нейтральных частиц, рентгеновского и гамма-излучений через вещество, электрон-атомным, атом-атомным, ион-атомным и др. столкновениям в твердых телах, ориентационным явлениям при взаимодействии высокоэнергетических частиц с твердым телом, радиационно-индуцированным и радиационно-стимулированным явлениям в твердых телах, влиянию радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влиянию факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологических методам модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, созданию и получению наноматериалов и экологически чистых материалов с низкой наведенной радиоактивностью.
На конференции с устными докладами выступили аспиранты департамента электронной инженерии НИУ ВШЭ Ерискин А.А. (доклады «Распределение дейтерия и водорода в Zr, Ni и Ti сборках фольг при воздействии импульсной дейтериевой высокотемпературной плазмы» и «Исследование распределения дейтерия и водорода в сборках Ta|CD2|Ta, Ta|Ta|CD2|Ta|Ta и Nb|CD2|Nb, после воздействия высокотемпературной плазмы аргона на установке ПФ-4») и Ромахин П.А. (доклад «Осаждение металлов и повреждаемость вольфрамовой мишени потоками ионов плазмы в установках Плазменный фокус»). Доклады вызвали большой интерес, было задано много вопросов.
Опубликованы труды конференции объемом 644 страниц.
Конференция предоставила прекрасную возможность обмена опытом и научными достижениями широкого круга ученых и специалистов, что, несомненно, послужит стимулом для дальнейшего развития теоретических и практических исследований в области радиационной физики твердого тела.