Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Бондаренко Г. Г., Кабанова Т. А., Рыбалко В. В.
М.: Юрайт, 2024.
Скуридин А. А., Елизаров А. А., Закирова Э. А. и др.
Медицинская физика. 2024. № 1. С. 53-62.
Gupta R., Yelizarov (Elizarov) A. A., Nazarov I. et al.
In bk.: 2024 Systems of signals generating and processing in the field of on board communications. IEEE, 2024. P. 1-5.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
В конференции приняли участие около 100 специалистов из вузовских, академических и отраслевых России, Белоруссии, Казахстана, Польши, ЮАР, Узбекистана. На конференции обсуждались вопросы, посвященные процессам прохождения заряженных и нейтральных частиц, рентгеновского и гамма-излучений через вещество, электрон-атомным, атом-атомным, ион-атомным и др. столкновениям в твердых телах, ориентационным явлениям при взаимодействии высокоэнергетических частиц с твердым телом, радиационно-индуцированным и радиационно-стимулированным явлениям в твердых телах, влиянию радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влиянию факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологических методам модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, созданию и получению наноматериалов и экологически чистых материалов с низкой наведенной радиоактивностью.
На конференции с устными докладами выступили аспиранты департамента электронной инженерии НИУ ВШЭ Ерискин А.А. (доклады «Распределение дейтерия и водорода в Zr, Ni и Ti сборках фольг при воздействии импульсной дейтериевой высокотемпературной плазмы» и «Исследование распределения дейтерия и водорода в сборках Ta|CD2|Ta, Ta|Ta|CD2|Ta|Ta и Nb|CD2|Nb, после воздействия высокотемпературной плазмы аргона на установке ПФ-4») и Ромахин П.А. (доклад «Осаждение металлов и повреждаемость вольфрамовой мишени потоками ионов плазмы в установках Плазменный фокус»). Доклады вызвали большой интерес, было задано много вопросов.
Опубликованы труды конференции объемом 644 страниц.
Конференция предоставила прекрасную возможность обмена опытом и научными достижениями широкого круга ученых и специалистов, что, несомненно, послужит стимулом для дальнейшего развития теоретических и практических исследований в области радиационной физики твердого тела.