Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Koucheryavy E., Aziz A.
Springer, 2024.
Мырова Л., Королев П. С., Антонович П. и др.
Электросвязь. 2024. № 4. С. 14-24.
In bk.: 23rd International Conference, NEW2AN 2023, and 16th Conference, ruSMART 2023, Dubai, United Arab Emirates, December 21–22, 2023, Proceedings, Part II. Internet of Things, Smart Spaces, and Next Generation Networks and Systems. LNCS, volume 14543. Springer, 2024. P. 349-362.
Kagan M., Аксёнов С. В.
Research Suqare. Research Square. Springer, 2024. No. 1.
С 25 по 27 ноября в Крокус Экспо прошла 11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника». В рамках специального разделы выставки «Молодая силовая электроника России» с двумя экспонатами выступили магистранты и студенты факультета электроники и телекоммуникаций Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.
Обе разработки выполнены под руководством заведующего кафедрой «Электроники и наноэлектроники», доктора технических наук, профессора Константина Орестовича Петросянца и профессора кафедры, к.т.н. Игоря Анатольевича Харитонова.
1) Аппаратно-программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации.
Для силовых компонентов, предназначенных для аэро-космических и других специальных применений, необходимо знание их температурной и радиационной стойкости. В МИЭМ НИУ ВШЭ, на кафедре «Электроники и наноэлектроники» при непосредственном участии молодых специалистов, аспирантов и студентов разработан аппаратно- программный комплекс для исследования характеристик и определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники (биполярных, МОП, ДМОП, IGBT, -транзисторов, диодов пассивных элементов) с учетом температуры и радиации, в том числе для космической техники, ядерной энергетики и других специальных применений. Аппаратная комплекса часть построена на базе измерительной системы Keythley2602, с возможностью дистанционного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов, помещенных в термо- или радиационную камеру. Программная часть включает в себя программы обработки и визуализации результатов измерений и программы экстракции параметров SPICEмоделей полупроводниковых приборов на базе системы IC-CAP. В состав комплекса входят библиотека SPICE-моделей силовых полупроводниковых элементов и база данных по параметрам отечественных и зарубежных приборов, учитывающая эффекты внешней температуры, саморазогрева элементов, основные виды радиационного воздействия.
2) Исследование тепловых полей в мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки.
Мощные полупроводниковые компоненты (дискретные полупроводниковые приборы, микросхемы, БИС) работают с большими плотностями токов, при больших рассеиваемых мощностях и, соответственно, высоких температурах. Измерение температур снаружи корпусов компонентов не дает необходимой информации о рабочих температурах элементов на полупроводниковом кристалле и наличии областей перегрева («тепловых пятен») кристаллов и активных областей. Аспирантами и студентами кафедры выполнен цикл работ по анализу тепловых полей полупроводниковых кристаллов силовых компонентов разной номенклатуры с помощью ИК тепловизионной установки. Установка включает в себя: ИК камеру FlirA40, микрометрический стол для 3-х мерного позиционирования исследуемых полупроводниковых приборов, макролинзу с минимальным разрешением 17 мкм и программное обеспечение для управления ИК камерой и обработки результатов тепловизионных измерений. Разработанная установка дает возможность выявлять на топологии кристалла «тепловые пятна», устанавливать элементы с максимальной температурой и определять параметры тепловых сопротивлений элементов. Все это является необходимой информацией для совершенствования топологии полупроводниковых приборов и интегральных схем и оптимизации их тепловых режимов.