Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Информация о количестве бюджетных и платных мест будет объявлена не позднее 20 января 2025 года
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
Манохин А. И., Полесский С. Н.
Издательство ПетрГУ, 2024.
Тярин А. С., Тронин С. С., Куреев А. А. и др.
Информационные процессы. 2024. Т. 24. № 4.
Манохин А. И., Полесский С. Н.
В кн.: Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии : материалы Всероссийской научно-технической конференции (30—31 мая 2024 г., Петрозаводск). Издательство ПетрГУ, 2024.
Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.
quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.
С 25 по 27 ноября в Крокус Экспо прошла 11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника». В рамках специального разделы выставки «Молодая силовая электроника России» с двумя экспонатами выступили магистранты и студенты факультета электроники и телекоммуникаций Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.
Обе разработки выполнены под руководством заведующего кафедрой «Электроники и наноэлектроники», доктора технических наук, профессора Константина Орестовича Петросянца и профессора кафедры, к.т.н. Игоря Анатольевича Харитонова.
1) Аппаратно-программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации.
Для силовых компонентов, предназначенных для аэро-космических и других специальных применений, необходимо знание их температурной и радиационной стойкости. В МИЭМ НИУ ВШЭ, на кафедре «Электроники и наноэлектроники» при непосредственном участии молодых специалистов, аспирантов и студентов разработан аппаратно- программный комплекс для исследования характеристик и определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники (биполярных, МОП, ДМОП, IGBT, -транзисторов, диодов пассивных элементов) с учетом температуры и радиации, в том числе для космической техники, ядерной энергетики и других специальных применений. Аппаратная комплекса часть построена на базе измерительной системы Keythley2602, с возможностью дистанционного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов, помещенных в термо- или радиационную камеру. Программная часть включает в себя программы обработки и визуализации результатов измерений и программы экстракции параметров SPICEмоделей полупроводниковых приборов на базе системы IC-CAP. В состав комплекса входят библиотека SPICE-моделей силовых полупроводниковых элементов и база данных по параметрам отечественных и зарубежных приборов, учитывающая эффекты внешней температуры, саморазогрева элементов, основные виды радиационного воздействия.
2) Исследование тепловых полей в мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки.
Мощные полупроводниковые компоненты (дискретные полупроводниковые приборы, микросхемы, БИС) работают с большими плотностями токов, при больших рассеиваемых мощностях и, соответственно, высоких температурах. Измерение температур снаружи корпусов компонентов не дает необходимой информации о рабочих температурах элементов на полупроводниковом кристалле и наличии областей перегрева («тепловых пятен») кристаллов и активных областей. Аспирантами и студентами кафедры выполнен цикл работ по анализу тепловых полей полупроводниковых кристаллов силовых компонентов разной номенклатуры с помощью ИК тепловизионной установки. Установка включает в себя: ИК камеру FlirA40, микрометрический стол для 3-х мерного позиционирования исследуемых полупроводниковых приборов, макролинзу с минимальным разрешением 17 мкм и программное обеспечение для управления ИК камерой и обработки результатов тепловизионных измерений. Разработанная установка дает возможность выявлять на топологии кристалла «тепловые пятна», устанавливать элементы с максимальной температурой и определять параметры тепловых сопротивлений элементов. Все это является необходимой информацией для совершенствования топологии полупроводниковых приборов и интегральных схем и оптимизации их тепловых режимов.