• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Заместитель руководителя Селиверстова Людмила Петровна
Статья
Влияние капель воды на поверхности RIS на ее характеристики
В печати

Тярин А. С., Тронин С. С., Куреев А. А. и др.

Информационные процессы. 2024. Т. 24. № 4.

Глава в книге
Аэродинамическое исследование камер тепла и холода

Манохин А. И., Полесский С. Н.

В кн.: Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии : материалы Всероссийской научно-технической конференции (30—31 мая 2024 г., Петрозаводск). Издательство ПетрГУ, 2024.

Препринт
Intensity correlations in decoy-state BB84 quantum key distribution systems
В печати

Trefilov D., Sixto X., Zapatero V. et al.

quant-ph. arXiv. Cornell University, 2024. No. 00709.

11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника»

С 25 по 27 ноября в Крокус Экспо прошла 11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника». В рамках специального разделы выставки «Молодая силовая электроника России» с двумя экспонатами выступили  магистранты и студенты факультета электроники и телекоммуникаций Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

С 25 по 27 ноября в Крокус Экспо прошла 11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника». В рамках специального разделы выставки «Молодая силовая электроника России» с двумя экспонатами выступили  магистранты и студенты факультета электроники и телекоммуникаций Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

Обе разработки выполнены под руководством заведующего кафедрой «Электроники и наноэлектроники», доктора технических наук, профессора Константина Орестовича Петросянца и профессора кафедры, к.т.н. Игоря Анатольевича Харитонова.

1) Аппаратно-программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации.

Для силовых компонентов, предназначенных для аэро-космических и других специальных применений, необходимо знание их  температурной и радиационной стойкости. В МИЭМ НИУ ВШЭ, на кафедре «Электроники и наноэлектроники» при непосредственном участии  молодых специалистов, аспирантов  и студентов разработан аппаратно- программный комплекс для исследования характеристик и определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники (биполярных, МОП, ДМОП, IGBT, -транзисторов, диодов пассивных элементов) с учетом температуры и радиации, в том числе для космической техники, ядерной энергетики  и других специальных применений. Аппаратная комплекса часть построена на базе измерительной системы Keythley2602, с возможностью дистанционного измерения параметров и характеристик полупроводниковых приборов, помещенных в термо- или радиационную камеру. Программная часть включает в себя программы обработки и визуализации результатов измерений и программы экстракции параметров SPICEмоделей полупроводниковых приборов на базе системы IC-CAP. В состав комплекса входят библиотека SPICE-моделей силовых полупроводниковых элементов и база данных по параметрам отечественных и зарубежных приборов, учитывающая  эффекты внешней температуры, саморазогрева элементов, основные виды радиационного  воздействия.

2) Исследование тепловых полей  в  мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки.

Мощные полупроводниковые компоненты (дискретные полупроводниковые приборы, микросхемы, БИС) работают с большими плотностями токов, при больших рассеиваемых мощностях и, соответственно, высоких температурах. Измерение температур снаружи  корпусов компонентов не дает необходимой информации о рабочих температурах элементов на полупроводниковом кристалле и наличии областей перегрева («тепловых пятен») кристаллов и активных областей. Аспирантами и студентами кафедры выполнен цикл работ по анализу тепловых полей полупроводниковых кристаллов силовых компонентов разной номенклатуры с помощью ИК тепловизионной установки. Установка включает в себя: ИК камеру FlirA40, микрометрический стол для 3-х мерного позиционирования исследуемых полупроводниковых приборов, макролинзу с минимальным разрешением 17 мкм и программное обеспечение для управления ИК камерой и обработки результатов тепловизионных измерений. Разработанная установка дает возможность выявлять на топологии кристалла «тепловые пятна», устанавливать элементы с максимальной температурой и определять параметры тепловых сопротивлений  элементов. Все это является необходимой информацией для совершенствования топологии полупроводниковых приборов и интегральных схем и оптимизации их тепловых режимов.