Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
70 бюджетных мест
3 государственные стипендии Правительства РФ для иностранцев
10 платных мест
2 платных места для иностранцев
60 бюджетных мест
15 государственных стипендий Правительства РФ для иностранцев
50 платных мест
2 платных места для иностранцев
Под науч. редакцией: Е. А. Крук, С. А. Аксенов, К. Ю. Арутюнов и др.
М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024.
Bodrov D., Pakhlov P., Pakhlova G.
Frontiers of Physics. 2024. Vol. 19. P. 14701.
В кн.: Компьютерные технологии и анализ данных. Мн.: БГУ, 2024. С. 172-175.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2024. No. 2401.10777.
В конференции приняли участие представители ведущих в области СВЧ электроники предприятий, институтов РАН, ВУЗов России ( НПО «Исток», «Торий», «Алмаз», ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИПФ РАН, Саратовский гос. университет им. Н.Г. Чернышевского, МИЭМ НИУ ВШЭ и других), а также Испании и США. Среди авторов докладов 4 чл.-корр. РАН, ведущие исследователи и разработчики приборов СВЧ. Изданы труды конференции.
Конференция была приурочена к 40-летию семинара «Проблемы электроники» и совпала с его 200-м заседанием. За время работы с 1973 г. семинар получил широкую известность, в нем принимают участие ведущие ученые, инженеры, преподаватели, аспиранты и студенты ВУЗов, Академии наук, предприятий промышленности. География участников семинара очень широка: Москва, С.-Петербург, Киев, Минск, Саратов, Нижний Новгород, Красноярск, Томск, Харьков, Рязань, Воронеж, а также участники из Китая и США .Много докладов делается по диссертационным работам, а так же по результатам многолетней работы научных коллективов. Так, семинар заслушал доклад А.С. Тагера и его сотрудников о создании ими новых приборов — лавинно-пролетных диодов, было отмечено, что эта работа представляет выдающееся достижение отечественной и мировой науки и достойна Ленинской премии, её авторы стали лауреатами премии в 1978 году. В разные годы большой интерес вызвали обзорные доклады Богомолова Г.Д., Капицы С.П. о работах по лазерам на свободных электронах в США, А.Н. Сандалова о состоянии разработок мощных приборов СВЧ, лазеров на свободных электронах и ускорителей, Н.И. Синицына и В.А. Солнцева о вакуумной микроэлектронике, А.В. Галдецкого по результатам ежегодно проводимых с 2000 г. крупных международных конференций по вакуумной электронике.
В своем выступлении на открытии конференции директор МИЭМ НИУ ВШЭ А.Н. Тихонов высоко оценил роль семинара в становлении отечественной школы СВЧ электроники, развитию творческих связей работающих в этой области исследователей. На конференции по решению Президиума Центрального Совета РНТОРЭС им. А.С. Попова бессменному руководителю семинара проф. В.А. Солнцеву был вручен знак «За заслуги в развитии радиоэлектроники и связи», зам. рук. проф. С.В. Мухину, ученым секретарям семинара в разные годы доцентам Н.П. Кравченко, Т.М. Андреевской, С.С. Захаровой – почетные грамоты.