• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Контакты

Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34

Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198

E-mail: blvov@hse.ru

Руководство
Руководитель Львов Борис Глебович
Заместитель руководителя Пожидаев Евгений Димитриевич
Заместитель руководителя Самбурский Лев Михайлович
Заместитель руководителя Каган Максим Юрьевич
Департамент электронной инженерии: Заместитель руководителя департамента Селиверстова Людмила Петровна
Образовательные программы
Бакалаврская программа

Инфокоммуникационные технологии и системы связи

4 года
Очная форма обучения
60/10/3
60 бюджетных мест
10 платных мест
3 платных места для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Бакалаврская программа

Информационная безопасность

4 года
Очная форма обучения
45/20/10
45 бюджетных мест
20 платных мест
10 платных мест для иностранцев
RUS
Обучение ведётся на русском языке
Магистерская программа

Инжиниринг в электронике

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Магистерская программа

Материалы. Приборы. Нанотехнологии

2 года
Очная форма обучения
20/5/1
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
RUS/ENG
Обучение ведётся на русском и английском языках
Статья
Graphene nanosheet/polyaniline composite for transparent hole transporting layer

Iakobson O. D., Gribkova O. L., Alexey R. Tameev et al.

Journal of Industrial and Engineering Chemistry. 2018. Vol. 65. P. 309-317.

Статья
Проявления поверхностных состояний в продольном магнитосопротивлении массива Bi-нанопроволок

Пудалов В.М., Фролов А., Волков В. и др.

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018. Т. 107. № 3. С. 193-197.

Статья
Magneto-quantum oscillations in Bi2Se3 nanowires

Frolov A., Orlov A., Sinchenko A. et al.

Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 941. P. 1-4.

Статья
High-pressure effects on isotropic superconductivity in the iron-free layered pnictide superconductor BaPd2As2

Pudalov V., Sadakov A., Usoltsev A.

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2018. Vol. 97. No. 13. P. 134508-1-134508-9.

Статья
Features of Stationary Photoconductivity of High-Ohmic Semiconductors Under Local Illumination

Lysenko A. P., E. A. Odintsova, Белов А. Г. et al.

Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60. No. 12. P. 2209-2217.

Статья
Обработка разноспектральных изображений для решения задачи распознавания

Титов Д. В., Бехтин Ю., Егошина И. и др.

Телекоммуникации. 2018. № 5. С. 35-38.

Статья
Bulk Photoemission from Plasmonic Nanoantennas of Different Shapes.

Ikhsanov R., Novitsky A., Protsenko I. E. et al.

The Journal of Physical Chemistry C. 2018. Vol. 122. No. 22. P. 11985-11992.

Статья
Модель отказов электронных компонентов для расчета надежности

Жаднов В. В.

Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 4. С. 353-361.

Статья
ОБРАЗОВАНИЕ ХОЛОДНОЙ ПЛАЗМЫ В PIN-ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ТЕХНИКЕ СВЧ

Варламов В. О., Саттарова А. И., Елизаров А. А.

Телекоммуникации и информационные технологии. 2018. № 1. С. 52-57.

Статья
Surface processes at the first stage of magnetron cathode Pd-Pd5Ba activation

Gaidar A. I., Bondarenko G.G., Petrov V. S. et al.

Vacuum. 2018. Vol. 154. P. 333-339.

Статья
Structural features of mineral crystal phases and deficiency of crystals of bismuth organosilikonat at high-temperature influence

Yastrebinskii R. N., Bondarenko G.G., Pavlenko A. V.

Inorganic Materials: Applied Research. 2018. Vol. 9. No. 5. P. 825-831.

Статья
Relaxation of Nonequilibrium Quasiparticles in Mesoscopic Size Superconductors

Arutyunov K. Yu., Chernyaev S. A., Karabassov T. et al.

Journal of Physics: Condensed Matter. 2018. Vol. 30. No. 343001. P. 1-16.

Статья
Влияние кулоновских корреляций на неравновесный квантовый транспорт в системе из четырёх квантовых точек

Каган М. Ю., Аксенов С.

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018. Т. 107. № 8. С. 512-518.

Статья
Halide Composition Controls Electron–Hole Recombination in Cesium–Lead Halide Perovskite Quantum Dots: A Time Domain Ab Initio Study

He J., Vasenko A.S., Long R. et al.

The Journal of Physical Chemistry Letters. 2018. Vol. 9. No. 8. P. 1872-1879.

Статья
Synthesis of Stable Bismuth Silicate with Sillenite Structure in the Na2O–Bi2O3–SiO2 System

Yastrebinskii R. N., Bondarenko G.G., Pavlenko A. V.

Inorganic Materials: Applied Research. 2018. Vol. 9. No. 2. P. 221-226.

Статья
The Nature of Plateau on Time-of-Flight Curves in Molecularly Doped Polymers

A.P. Tyutnev, V.S. Saenko, Aleshkevich A. et al.

Polymer Science - Series A. 2017. Vol. 59. No. 4. P. 575-578.

Статья
Adaptive Contactless Fiber-Optic Vibration Displacement Sensor

Yurin A.I., Dmitriev A.V., Krasivskaya M.I. и др.

Измерительная техника. 2017. Т. 59. № 11. С. 1146-1150.

Статья
A Methodology of Metamaterial Effective Permittivity and Permeability Value Measurement

Kukharenko A. S., Shaymardanov R., Yelizarov (Elizarov) A. A.

Journal of Materials Science and Engineering A. 2017. No. 7-8. P. 206-215.

Статья
Odd-frequency superconductivity induced in topological insulators with and without hexagonal warping

Vasenko A. S., Golubov A. A., Silkin V. M. et al.

Journal of Physics: Condensed Matter. 2017. Vol. 29. No. 295502. P. 1-7.

Статья
Inhomogeneous electron states in the systems with imperfect nesting

Рахманов А., Kugel K., Kagan M. et al.

JETP Letters. 2017. Vol. 105. No. 12. P. 806-817.

Статья
Fermi-to-Bose crossover in a trapped quasi-2D gas of fermionic atoms

Kagan M.Yu., Turlapov A. V.

Journal of Physics: Condensed Matter. 2017. Vol. 29. No. 383004. P. 1-22.

Встреча с представителями компании Agilent Technologies

19 декабря на кафедре радиоэлектроники и телекоммуникаций  2012 года в рамках научно-исследовательского семинара  магистрантов по направлению 211000 «Конструирование и технология электронных средств» по инициативе профессора А.А. Елизарова прошла встреча с представителями компании Agilent Technologies. Семинар проходил под руководством профессора кафедры РЭТ Ю.Н. Кофанова.


Встреча с представителями компании Agilent Technologies

На семинаре коммерческим представителем Филипповым Артемом Николаевичем был сделан обзор контрольно-измерительного оборудования компании Agilent Technologies. Далее были представлены решения компании Agilent Technologies в области осциллографии и измерительных задач в инфокоммуникационных технологиях, продемонстрированы современные анализаторы спектра и анализаторы цепей Agilent Technologies, а также программное обеспечение. Особое внимание было уделено оборудованию для измерения параметров антенн и программному комплексу EMPro, о котором рассказал студент группы ЭП-91 Рябокуль Артем, являющийся также техническим специалистом ЗАО «Акметрон» - дочерней фирмы Agilent Technologies.

Компания Agilent Technologies выделилась из Компании Hewlett-Packard в 1999 году как часть корпоративной реорганизации. Корни Agilent восходят к 1939 году, когда Билл Хьюлетт и Дэйв Паккард организовали компанию, что способствовало дальнейшему формированию Силиконовой Долины и технологии отраслей микроэлектроники. Билл Хьюлетт и Дэйв Паккард славятся своим дальновидным подходом к управлению и стремлением создать оборудование, способствующее успехам в науке и технологиях.