Выставка «Силовая Электроника» в Москве

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо»  прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта  выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо»  прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта  выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

На стенде МИЭМ НИУ ВШЭ были представлены экспонаты:

1) Аппаратно-программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.

Для эффективного проектирования изделий силовой электроники очень важно знать параметры используемых активных компонентов и иметь их модели для автоматизированного расчета схем. К сожалению, для многих компонентов, особенно, отечественного изготовления, отсутствуют достоверные данные по их режимам безопасной работы, отсутствуют их модели для проектирования схем. Для решения этой задачи в МИЭМ НИИ ВШЭ, на кафедре «Электроники и наноэлектроники» силами молодых специалистов, аспирантов  и студентов проводятся работы по созданию аппаратно- программного комплекса для исследования характеристик, определения параметров и разработки моделей полупроводниковых элементов, в том числе, и силовой электроники.

 2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.

Около десяти лет назад появилась новая технология – встраиваемые компоненты внутри печатных плат, печатный узел со сложной 3-D структурой, в которой компоненты как дискретные, так и пленочные,  расположены внутри самих печатных плат.

При этом уменьшаются вес и габариты изделия, и увеличивается его функционал.

Встраивание активных и пассивных компонентов в печатные платы позволяет реализовать новые технологии межсоединения, без использования разварки, обеспечивающие улучшенные тепловые и электрические характеристики, а также возможность размещения кристалла над кристаллом.

Преимущества технологии внутреннего монтажа:

1. Уменьшение размеров устройств;
2. Улучшенный теплоотвод;
3. Улучшенная защита от влаги;
4. Электромагнитное экранирование;
5. Механическая прочность;
6. Сокращение длины линий связей;
7. Сокращение стоимости изделий.

Обе разработки выполнены под руководством заведующего кафедрой «Электроники и наноэлектроники», доктора технических наук, профессора Константина Орестовича Петросянца и профессора кафедры, к.т.н. Игоря Анатольевича Харитонова