26.09.2024 состоялся семинар НУГ. Докладчиком выступили Ихсанов Р. Ш, ведущий научный сотрудник, заместитель руководителя НУГ и молодой исполнитель Карабасов Т.

Тема доклада "Фотоэмиссия из структур “ металл-полупроводник ” с участием поверхностных состояний"

Аннотация доклада:

В докладе будет рассказано об эффекте усиления фотоэмиссии, проходящей по объемному механизму, из металла в полупроводник путем резонансного туннелирования фотовозбужденных электронов через так называемый “таммовский” уровень. Таммовские состояния возникают в полупроводнике вблизи его поверхности и по энергии находятся в запрещенной зоне, вблизи дна зоны проводимости. Туннелирование через таммовский уровень может привести к красному смещению пороговой длины волны фотоэффекта, более высокому наклону линейного роста фототока вблизи порога, и возможности существенного увеличения эффективности фотоэмиссии аналогично недавним экспериментальным результатам по генерации горячих носителей в плазмонных структурах с дискретным энергетическим уровнем на границе металл-полупроводник.

Презентация (PPT, 11.44 Мб) 

 

Молодой исполнитель Карабасов Т.  рассказал об исследовании динамики позиций и траекторий движения ионов в металлогалогенидном перовските

Карабасов доклад (PPTX, 693 Кб)